42奈米制程 明年Q2量产

支应集团DRAM事业制程升级大计，南科（2408）规划办理99亿元现增，台塑四宝依持股，连手斥资40.8亿元大力相挺。南科董事长吴嘉昭昨（16）日表示，集团DRAM在年底华亚科全面导入50奈米制程后，亦即完成导入堆栈式改变，成本将改善30％，效益可望明年开始发酵。

吴嘉昭说，南科本次现金增资主要是为支应南科、华亚科明年第2季42奈米制程正式量产计划。美光目前制程也为50奈米、42奈米制程，惟推动进度较早。双方共同研发制程已开始切入3X奈米制程，目前实验室测试量率稳健，有利强化成本竞争条件。

台塑集团DRAM发展以南科研发技术制程、经由品牌为主，南科与美国合资的华亚科则以后端更大产能规模运作，扩大竞争实力。据台塑集团规划，南科、华亚科将在明年首季开始42奈米制程小量投产，第2季正式量产；届时，成本可望比50奈米持续改善30％。

吴嘉昭指出，台塑四宝均依照持股参与现增，扣除大华证券包销外，其他现增缺额集团将会协助洽特定人认购，绝无外传南亚塑料斥资60亿元参与现增的作法。

据悉，为改善财务结构、推动制程升级，台塑集团已连3次连手参与支持南亚科增资；包括包括122亿元私募案，上半年160亿元现金增资，以及本次99亿元现增案。除本次现资认购价格高于市价外，私募及上半年现增案认购价格均低于市价，对台塑四宝整体投资报酬多属正向效益。

内建式Flash 明年倍数成长
2010-11-17 01:14 工商时报 记者李淑惠／台北报导
根据集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange调查，随着智能型手机的热卖，与iPad所带动平板计算机蓬勃发展，智能型手机与平板计算机销售金额、整体出货量，在2011年可望有倍数以上成长。

新兴的手持式行动装置对于轻薄设计、电池续航力、系统效能与内存的需求日益提高，集邦科技认为新兴的手持式装置，将带动带动内建式NAND Flash产品例如MCP、eMMC、e-SSD等的需求量，成为2011年NAND Flash需求的重要支撑，内建式NAND Flash比重将首次超过记忆卡、随身碟。

集邦科技统计，内建式NAND Flash的比重将在今年达到40％，预估2011年将大幅提升至63％水平，首次超越记忆卡与随身碟的比重，并且一举突破至6成以上，同时此一趋势确立后，系统产品重要性将持续增加。系统产品的比重提升与多元化发展，将能够有效地降低波动剧烈的记忆卡与随身碟市场所带来的冲击，并且能够分散系统风险与提升库存去化能力。