台积电通过18.8亿美元资本支出

台积电昨（9）日举行季度例行性董事会，会中通过核准约18.8亿美元资本支出预算，将用来兴建位于中科12吋晶圆厂Fab15的试产线，扩充先进制程产能，以及增加12吋晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）等产能。

此外，台积电也核准2011年研发及经常性资本预算8.0376亿美元，及对欧洲太阳能电池子公司TSMC Solar Europe B.V.增资940万欧元。

台积电今年资本支出预计为59亿美元，但今年5月、8月、11月等3次例行性董事会，通过核准的资本支出预算已超过66亿美元，显示部份资本预算花费时间将延至明年，符合台积电董事长张忠谋日前提及，明年资本支出将高于今年。

台积电昨日董事会，核准动用18.809亿美元资本预算，用以建立位于中科12吋晶圆厂Fab15的试产线（Mini-lines），扩充先进制程及12吋晶圆级芯片尺寸封装产能，也会同时增加特殊制程产能。另外，台积电也核准2011年研发及经常性资本预算达8.0376亿美元。

台积电今年大幅扩充产能，今年全年晶圆产能将达1,132.9万片8吋约当晶圆，较去年增加14％，其中0.13微米以下先进制程产能则较去年大幅增加37％。设备商表示，台积电明年资本支出有机会上看65亿美元历史新高，中科12吋厂Fab15也可望在明年底投产，竹科12吋厂Fab12及南科12吋厂Fab14扩产速度加快，明年先进制程产能可望较今年再增加35％至40％。

设备商表示，绘图芯片双雄英伟达（NVIDIA）及超威（AMD）陆续推出40奈米新产品，对台积电投片下单维持高档，加上超威40奈米加速处理器Ontario及Zacate也在本季扩大投片，台积电先进制程仍供不应求，加上28奈米订单已陆续到位，所以才会更积极扩大资本支出扩产。