英特尔/东芝/三星联手打造更小芯片设备

据报道，促成三强联手的原因还是由于他们想通力研发一项10纳米的生产进程以方便下一代CPU和闪存发展。现在市面上的CPU进程为35纳米，而未来6个月即将问世的记忆芯片也只是用的25或22纳米而已。

显然这次合作也是三家公司对技术的投资的强烈兴趣，此前三星跟东芝就是制造NAND型记忆芯片的两巨头，而英特尔一直对闪存表示了极高的热情，现在已是位居全球最大的芯片制造商。

报道还称，这一合作将很快落到实处，而且将有另外十家科技公司加入该项研发。日本经济产业省将出资100亿日元支持项本目的起初研发基金，而另外一半资金则由财团支付。该项目预期在2016年完成。