英特尔、三星和东芝将携手发展10纳米技术

路透10月29日电---日经新闻报导指出,晶片大厂英特尔(INTC.O: 行情)、东芝(6502.T: 行情)及三星电子(005930.KS: 行情)将携手发展纳米技术,可能在2016年前将半导体线宽缩减逾半至接近10纳米.

日经报导称,全球第一大NAND型记忆体厂商三星电子和排名第二大的东芝,加上全球最大晶片厂商英特尔,有意在不久後合组一集团,并广邀约10家半导体材料和相关领域的公司共襄盛举.

报导并称,初步的研发资金约为100亿日圆,日本经济产业省可能会提供约50亿日圆(6,121万美元),其馀资金则由集团成员出资.

日经指出,东芝和三星计划运用该技术来生产10纳米制程的NAND闪存记忆体等晶片;英特尔则可能用来发展更快速的微处理器.(完)