次世代微影技术主流之争　EUV可望2014年进入量产

目前次世代微影技术发展仍尚未有主流出现，而身为深紫外光(EUV)阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(IMEC)总裁Luc Van den hove指出，EUV技术最快于2014年可望进入量产，而应用内存制程又将早于逻辑制程，他也指出，无光罩多重电子束恐怕来不及进入量产。
目前次世代微影技术主要包括深紫外光、无光罩多重电子及浸润式微影多重曝光技术，然由于各种技术成本相对上都还高，发展也尚未成熟，因此次世代微影技术尚未有明显的主流。
IMEC在奈米电子上向来具有先端研究技术，同时也与设备大厂爱司摩尔(ASML)进行多年的EUV技术研发，也为EUV阵营的主要代表之一。不过目前EUV技术最为人所诟病的在于EUV机台、光罩与外围材料设备都造价高昂，恐怕没有几家晶圆厂能够负担，即便制程顺利开发成功，也少有客户有能力采用。
因此目前台积电也极力投入无光罩多重电子束制程开发，由于该制程不需要光罩，且设备造价也不若EUV机台来的高昂，也提供了EUV之外的另一个选择。更重要的是，让过去几年声势浩大的EUV，能够有抗衡的对象。
Luc Van den hove指出，IMEC向来专注投入EUV技术研发，即便EUV技术在光罩及光阻等多面向上，? 揭钒搷龠i，不过成熟度高，发展时间也较久，未来几年成本也将会下滑，适合于大量生产。他预估，2014年EUV技术将具有成本效益，开始进入量产，首先会采用EUV制程的应是内存厂商，用于20奈米制程，至于逻辑制程则会较晚，预计将用于16奈米制程。
Luc Van den hove也表示，半导体业界的确需要EUV外有别的选择方案，不过电子束过去一段时间投入的研发资源不够，开发尚未成熟，尤其不适合用于内存制程，只适合用于小量生产，恐怕也赶不上业界量产的时程。
在EUV阵营方面，ASML日前宣布，首台EUV机台已于本月正式出货，预计到2011年中为止，还有5台将陆续出货。同时，ASML也正在着手研发第3代EUV机台NEX:3300，目前已有8套订单，将于2012年开始出货。因此业界对于未来1年EUV机台进厂后的成果也十分关注，将是次= 代微影技术发展的重要里程碑。