新研发CFD技术锁定32奈米以下前段制程应用

诺发系统(Novellus)宣布已经开发 conformal film deposition (CFD)技术，可在高宽比4:1的结构上有100%的阶梯覆盖能力。这项创新的 CFD 技术可以提供 32奈米以下在前段制程的需求，例如 gate liners、spacers、shallow trench 隔绝的高介电金属闸极 (HKMG) liners和用在双曝光技术的spacers。诺发的CFD氧化物薄膜拥有和炉管热反应的氧化薄膜相同的质量和成分，包含低漏电、高崩溃电压和很低的湿蚀刻率。

32奈米制程以下的晶体管尺寸变异量极为重要，并且会影响组件表现，新的高conformal spacer薄膜已经被开发出来可以控制这些芯片上的临界尺寸(critical dimensions)。当整合方法和先进制程控制技术可以将芯片之间、批货之间的变异量降到最小，在芯片上的变异量就可以用spacer薄膜控制。然后更进一步，这些用在spacer薄膜的介电层必须在够低的温度下沉积，以降低杂质扩散。

诺发已经开发出CFD技术可沉积高质量的conformal 薄膜，可应用在前段制程并且符合32奈米以下质量以及低温的需求。电流-电压图显示出CFD薄膜具有很高的崩溃电压特性，更进一步的分析指出薄膜质量在侧边等同于大块区域。和一些用原子层沉积制程的竞争者比较，结合诺发的CFD技术和VECTOR多平台顺序沉积方式(MSSD)可以提供优异的芯片上和芯片之间的一致性，并且拥有显著的高产率和很低的化学品用量。

因为Extreme UV (EUV) 曝光技术的延迟，半导体工业转向以spacer技术为主的双曝光技术用在3X奈米和2X奈米以下的逻辑组件。最成本节省的双曝光技术利用光阻当核心，再沉积百分之百阶梯覆盖的spacer薄膜。这种spacer薄膜必须使用温度和化学方式沉积并且兼容于光阻材料。应用在双曝光技术的Spacer薄膜必须展现出极佳的conformality，并且没有会造成线弯曲的loading 效应，因此才能提供出色之芯片上曝光的均匀性。

诺发PECVD事业部资深副总Kevin Jennings说：「CFD技术提供了低温沉积介电薄膜并具有和炉管相同质量的突破。当组件缩小到32奈米以下，许多应用会需要CFD技术沉积的薄膜，可靠的、已经被量产证实的VECTOR 平台，有此能力可以确保极佳的芯片上和芯片间的制程稳定性，并有极高之产率以及低的化学品成本。」