研发新技术不手软　半导体厂全力抢攻先进制程

随着半导体产业走向40奈米以下先进制程，产业上下游皆竞相投入先进制程研发，包括台积电、联电、全球晶圆(Global Foundries)皆大手笔添购设备，更加速跨入20奈米级、10奈米级的制程研发，半导体设备业者包括艾斯摩尔(ASML)与科磊(KLA-Tencor)等亦积极研发新设备。晶圆代工厂2010年底将开始量产28奈米制程，先进制程已成为前几大晶圆代工业者主要的竞逐战场。以台积电来说，目前20奈米制程采用浸润式微影技术以及双重曝光(double-patterning)技术。至于在20奈米级以下，台积电则是深紫外光(EUV)与无光罩的电子束(e-beam)技术同步并进，日前已采用Mappers的多重电子束技术成功试产出20奈米DRAM芯片。
至于全球晶圆在9月的全球技术论坛中则受度发表20奈米技术蓝图，预计 22/20奈米将会于2012年下半进行试产，并于2013年正式进入量产。在次世代微影技术方面，相较于台积电在深紫外光(EUV)与多重电子束两路并进，全球晶圆压宝EUV阵营，预计首台EUV机台将于2012年下半进厂，并于2014~2015年间量产。
设备业者分析，除晶圆代工外，DRAM厂历经过去1年的惨淡经营后，也积极转换至高阶制程，希望能提高产品单价，以技术取得市场优势。同时，为因应未来对40奈米以下制程需求，以及IDM扩大委外释单的趋势，晶圆厂亦积极增建新厂，并且瞄准高阶制程应用进行扩增。
设备业者指出，拿40奈米制程与90奈米相较，90奈米制程步骤约550道，40奈米则需要约1,000道工序；在光罩方面，90奈米需要31道工序，40奈米则需要50道；在新材料方面，90奈米约15种，40奈米则超过45种，显示40奈米制程困难度大幅提升。
在此之下，其实也让设备需求越走越窄，毕竟有能力供应高精密度的先进仪器厂商并不多，尤其在未来走向22奈米以下制程，需要如深紫外光(EUV)或无光罩电子束等技术之下，能供应的厂商屈指可数，也将使未来半导体设备市场生态出现转变。
微影设备大厂艾斯摩尔(ASML)的浸润式微影机台销售畅旺，公司亦指出，最新的NXT 1950i设备已出货近20套，全球超过50万片晶圆，皆透过该设备进行曝光。为推进20奈米以下先进制程，ASML也已接获6套超紫外光(EUV)系统，将陆续出货。
ASML指出，随着内存业者推进先进制程，二线DRAM厂开始转换至40奈米，一线DRAM厂则准备发展30奈米技术，NAND Flash厂则开始发展sub-30奈米生产技术。
量测设备仪器厂科磊(KLA-Tencor)指出，随着40奈米以下先进制程对于良率提升需求，科磊已陆续推出系列产品，并已跨入20奈米、10奈米级等先进制程，如针对20奈米级节点以下微影覆盖控制需求，也推出Archer 300CLM迭对(overlay)量测系统，预期2010年将有22样新产品问世，带动业绩成长。