诺发系统宣布应用在先进晶圆级封装市场的系列产品

诺发系统日前发表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新机型，这些新机型可以和诺发系统的先进金属联机技术相辅相成，并且展开晶圆级封装技术(WLP)的需求及市场。这些机台都整合了一些一般传统封装设备没有的新功能，并且持续维持业界领先的高生产性。
消费性电子要求更小、更强而有力的行动电子组件，并且指令周期要和一般逻辑和记忆芯片一样快，因此驱动着可以降低电力消耗、增加系统表现等的替代封装技术之发展。和传统的封装技术相比，TSV、WLP堆栈等的3D整合技术可以缩短芯片之间的联机，进而得到显著的芯片运算表现。TSVs还可以将多个芯片垂直堆栈形成一个三明治结构，同时也能缩短铜线之间的联机。WLP技术像是micro-bumps、pillars、copper redistribution layers (RDL)可以增加 I/O 数目并降低pitch的需求。所有的3D整合技术都需要新的金属、介电材料和应用。
诺发系统已经开始投资发展一系列新的产品以符合晶圆级封装技术和成本限制上的需求，新推出的SABRE 3D系统，整合了目前最高科技水平的SABRE ElectrofillR技术，并且设立了一个新的机台表现与成本节省的工业标竿。这个创新的系统包含了全新的专利技术，包括无? 晙}的先进表面处理技术(APT)、可降低铜overburden? MM技术，以即可改善在高产率下填洞均匀度的TurboCell技术。SABRE 3D的模块化结构，可配置多种电镀及前或后处理槽的各种封装应用，包括TSV技术、pillar、RDL、bump底下的金属化、共晶和无铅微型焊接使用材料，如铜、锡、镍、锡和银。
INOVA 3D PVD system采用诺发公司的下一代专利HCMR溅射源，加上该公司的IONFLO(tm)技术，可提供高的高宽比TSVs卓越之铜侧壁覆盖和超低缺陷能力。离子引起的铜流过程可使用比传统PVD更薄的晶种层，就可达到无孔洞的电镀填洞，并可降低大于百分之五十的TSV制造消耗成本。INOVA 3D还提供IONX钛和钽源IONX加大码技术，扩展溅镀靶材的生命周期将可大于 10000千瓦小时，因此可以增加机台的正常运作时间，并进一步降低在此应用上的整体消耗成本。
VECTOR 3D系统采用跟全球已有1000多台的VECTOR PECVD相同专利的多站连续沉积(MSSD)技术，本MSSD架构加上新近开发的PECVD产品流程，让VECTOR 3D可沉积低成本、低温薄膜并且兼容于玻璃基板。低温应用包括氮化硅扩散阻障层和氧化硅绝缘层以及护层。该系统的技术可调整薄膜的挡水性、电性，使其性质可以和高温的介电薄膜性质相当。VECTOR 3= 琐鬙x设计也可沉积应用在TSV结构(包含via-middle和via-last)的高质量介电内层。
G3D光阻去除系统的设计是要迅速消除用于制造 RDLs和pillars的厚光阻(20-100微米)，达到在高宽比TSVs的无残留物之光阻去除和清洁。G3D的竞争优势来自于一个独特高ash rate ICP源的高生产效率、低温制程、并且深度清洁功能的组合。此ICP来源提供超均匀电浆，可有一致性的光阻去除和消除残余物的表现。以有弹性的射频功率和气体分布的控制，以及低温处理能力，G3D提供了一次广泛的制程调整范围以达到无残留物的光阻去除，并且在业界具有领先的生产率。
诺发系统半导体系统产品执行副总裁Dr. Fusen Chen表示：「 晶圆级封装推动对新技术的要求，并且还能利用诺发公司在ECD、PECVD、 PVD、photoresist strip的核心竞争力。我们已经应用本身先进的沉积和光阻去除技术开发出一系列产品，以符合3D整合的新需求。」