ATMI与Ovonyx合作取得CVD制程PCM技术突破

ATMI和 Ovonyx 两家公司日前宣布，双方在采用化学气相沉积(CVD)制程商业化生产基于锗锑碲化物(Germanium Antimony Telluride，GST)的相变化内存(PCM)方面取得突破性进展。
两家企业正在合作开发的项目获得重大进步，该采用化学气相沉积技术生产的、基于锗锑碲化物的相变化内存，不仅能够实现制程微缩，而且是一种具有成本竞争力的内存技术。由于具有独特的性能，相变化内存是内存体系中的新生代产品，且是NOR型闪存的替代性产品；相变化内存还能取代相当大部分先进制程节点的DRAM。
此项研究在高长宽比的相变化内存单元中实现了均匀沉积，与组件结构可对比的、采用溅镀沉积(sputter-deposited)技术之GST 225相比，显示出了良好的电学特性。结果包括各种CVD合金的沉积，设定速度低于50奈秒(ns)，典型耐受时间为108~1010个周期，100°C以上的信息保存时间为10年。
「基于锗锑碲化物的相变化内存仍具备显著的商业化潜力，是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性内存技术。」ATMI执行副总裁与微电子事业部总经理Tod Higinbotham表示：「但在实现更快速微缩制程的过程中面临的挑战之一，便是缺乏能够生产可进一步调低复位电流(reset current)的完全密闭单元。降低复位电流可降低内存的耗电量，延长电池寿命和提高资料带宽，这对于当前以数据为中心的、高度可携式的消费性电子设备来说都是很重要的功能。」
两家公司计划向半导体产业授权这些技术，ATMI将提供相关的前驱体材料(precursor materials)和沈积技术，进一步推动和促进PCM高性能内存的商业化，并将于2010年第四季展示12吋晶圆CVD GST技术。