应材运用流动式化学气相沉积技术推动先进微芯片设计

应用材料公司于日前宣布推出具突破性的Applied Producer Eterna流动式化学气相沉积系统(Flowable CVD)，解决了摩尔定律制程微缩的关键挑战，其能运用电流隔绝内存及逻辑芯片设计中20奈米及以下制程的浅沟晶体管，具高质量的电介质薄膜，是日前业界首桩也是唯一可处理薄膜沉积的技术。晶体管与晶体管间的浅沟层皆可完成 30:1 纵横比的填洞，较目前技术需求高出5倍，而且具高复杂的纵横比。
Eterna流动式化学气相沉积制程是目前业界最具成本效益的填洞解决方案。该系统独特的能力，可以将浅沟层自下到上完全填洞完毕，并产出紧密、无碳的介电质薄膜，比液态旋转式薄膜(spin-on)沉积方式的成本便宜一半，液态旋转式薄膜沉积需更多的设备及更多道的制程手续方能完成。
应用材料公司具专利的Eterna流动式化学气相沉积制程，能沉积出如液体般的薄膜，可自由流动于任何结构中，形成自下到上的无空隙填充效果。Eterna流动式化学气相沉积系统可整合至应用材料公司的Producer平台，目前已装在6处DRAM、闪存及逻辑应用客户端的机台上。
应用材料公司副总裁暨DSM/ CMP产品处总经理比尔?麦可林塔(Bill McClintock)表示︰「由于先进芯片设计中，需要! 填出更小更深的沟层，成为目前沉积技术无法突破的物理性障碍。今日应用材料公司已有杰出的技术突破，我们推出新的Eterna流动式化学气相沉积系统，能形成破坏性创新，让制程技术能遵循摩尔定律持续进步。拥有这套Eterna 流动式化学气相沉积系统，应用材料公司可望持续维持长达10年的填洞技术领导地位，为客户提供独特、简化、具成本效益的解决方案，以克服多种新世代芯片技术所面临的挑战。」