研发新技术　三星、海力士订购EUV设备

据南韩电子时报报导，三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韩内存厂最快可于2012年着手量产10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代内存。据相关业者表示，三星和海力士率先向荷商艾司摩尔(ASML)订购研究用极端紫外光源(Extreme Ultraviolet；EUV)曝光设备，以研发新制程的技术。

每台要价约1,000亿韩元的EUV曝光设备能协助突破目前半导体微细制程20奈米制程界限的有利设备，南韩业者也期望率先进行研究，以确保未来在微细制程技术上能领先其他竞争业者。

ASML目前自三星及海力士取得订单后正在制造EUV设备，预计2011年上半将可各自交货给2间韩厂。据悉，台积电(TSMC)也向ASML订购设备，而美光(Micron)则是下订后又取消了订单。

EUV曝光设备是利用波长极短的紫外线，可在硅基板上刻出更微细的电路图案。现有的曝光设备是采用193奈米的波长，但EUV设备采用13.2奈米的极端紫外光线，可以呈现更微细的半导体电路。

专家分析，虽然目前部分半导体业者可透过采用ArF浸润式微影和双重曝光技术(DPT)量产20奈米Flash、30奈米DRAM，但采用该种微细制程的半导体生产将难以突破技术界限，发展出更微细的? s程。

三星及海力士将先测试研究用EUV曝光设备，最快2012年将可开始投入量产线。业界相关人员表示，南韩业者在全球业者间率先订购研究用EUV设备，是为了确保在微细制程领域的技术能力。竞争业者将会根据市场情况也随着引进设备，而三星及海力士将可在生产次世代内存方面占据领先地位。