台积电举行会前说明会，介绍28nm工艺的开发状况等

台湾台积电（TSMC）7月1日面向新闻媒体进行了“TSMC 2010 Japan TechnologySymposium”(7月2日举办)的会前说明会，台积电研发副总裁兼首席技术官JackSun和台积电日本代表董事社长小野寺诚，在说明会上介绍了技术开发状况和业务状况。其中，JackSun介绍的技术开发状况与该公司在2010年2月24日举行的“TSMC 2010 Executive Forum on LeadingEdge Technology”的内容相比没有太大变化。不过，关于20nm曝光技术方面，Jack Sun表示“EUV（extreme ultraviolet）曝光和多电子束直写（MEBDW）都可以，我们需要可以满足成本和处理能力要求的技术”，由此可以看出台积电强烈期待曝光技术能较现状取得大的进展。

关于工艺技术的开发状况方面，已经开始试验性生产采用SiON栅极绝缘膜的28nm低功耗版工艺（28LP）。关于采用HKMG（组合使用高介电率栅极绝缘膜和金属栅极）的三项工艺（28HP，28HPL，28HPM）方面，正在推进试验性生产的准备工作。28HP、28HPL以及28HPM分别预定在2010年第四季度、2011年第一季度以及2011年第四季度开始验性生产。另外，20nm工艺也正在进行开发，目的是在2012年第四季度开始生产高性能版的“20G”，在2013年第二季度开始生产低功耗版的“20SoC”。

在曝光技术方面，台积电展示了同时记载有20nm工艺用MEBDW（用于接触孔和通孔，处理能力为100张/小时）、EUV曝光（开口数（NA）为0.25）以及组合使用超解像技术和布局技术的ArF液浸曝光（NA1.35）的三种技术的图案。其中，在MEBDW和EUV曝光方面展示了最新成果。例如，在MEBDW方面展示了采用光束为110、加速电压为5KeV的Preα机，对半间距为30nm的接触孔进行曝光的成果，今后为了实现10张/小时和100张/小时的处理能力，计划扩展到1万3000光束并推进实现集群工具（Cluster Tool）化，以支持20nm和14nm。

另外在EUV方面，台积电展示了对20nm的第一层金属布线和14nm的接触层进行EUV曝光的成果，同时还表示预定在2011年早些时候导入“NXE：3100”。不过，JackSun指出，“课题均是成本和处理能力”。对于记者提出的“从目前来看，您认为哪一种技术更有前途”这一问题，JackSun未作出明确回答，让人觉得他对上述的技术都还很不满意。（记者：长广 恭明）