联电与力成及尔必达28奈米TSV技术合作 最快2012年量产

晶圆代工大厂联电(2303-TW)今天与DRAM模块厂力成(6239-TW)日本尔必达(Elpida)(6665-JP)共同宣布针对包括28奈米先进制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技术进行合作。

联电执行长孙世伟表示，有鉴于摩尔定律的成长已经趋缓，未来将由TSV这类整合各种技术的解决方案领导市场，认为结合联电在逻辑IC的优势、尔必达在DRAM的领先地位和力成在封装上的专业，三方的互补将可缩短研发时间和成本，以满足客户需求，因此联合尔必达和力成针对该项制程的设计、制程、测试与封装进行合作。

尔必达社长坂本幸雄指出，尔必达在2009年便已成功开发成功开发80亿字节的DRAM堆栈技术，但当中遇到不小困难，因为必须要有逻辑IC的先进制程才能有效大幅增加数据传输速率却可以同时减少功率消耗，又可以使体积轻薄短小，因此非常高兴能在力成之外，又找到联电做为技术合作伙伴。

坂本幸雄表示，目前这项技术的应用以多媒体手机以及数字照相机为主，客户的询问度非常高。

联电副总裁暨先进技术开发处处长简山杰表示，随着CMOS制程微缩带来的技术与成本上的挑战，采用TSV技术成为摩尔定律之外的另一个选择，但需要这个解决方案来生产次世代产品的客户面临标准化、供应链基础架构、热应力和封装测试整合等问题，只有策略性跨领域的合作才能提供全方位的解决方案，这项三方合作的成果将可让联电支持使用其他TSV方法的客户，为他们提供完整的解决方案。

联电表示，预计此项技术的研发可在明年中提供给客户并取得智财验证，视技术成熟度和市场接受度最快可在2012年进行量产。