联电、尔必达、力成挥军铜制程3D芯片

联电（2303）、尔必达（Elpida）、力成（6239）等3家半导体大厂今（21）日将宣布策略合作，据了解，3家业者将针对铜制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技术进行合作开发，除了针对3D堆栈铜制程之高容量DRAM技术合作，未来也将开发DRAM及逻辑芯片之3D堆栈芯片技术，争取手机、高性能家电、游戏机等整合型单芯片市场商机。

联电与尔必达在2007年底已在低介电铜制程上合作，联电授权尔必达使用其低介电铜导线制程技术，以应用在尔必达的DRAM产品制程上，尔必达则是许可联电将尔必达的DRAM技术应用在嵌入式DRAM制程上。同时，联电与尔必达也针对相位变化随机存取内存（PRAM）进行合作，结合尔必达在硫族化合物（GST）材料的专业硅智财，与联电在互补金属氧化（CMOS）逻辑制程进行整合。

联电于2008年再度与尔必达延伸合作内容至晶圆代工领域，尔必达将提供其位于日本广岛的12吋厂产能，联电则提供硅智财（IP）及铜制程技术，锁定争取日本IDM厂委外代工订单。

而随着联电在去年将联日半导体（UMCJ）纳入成为百分之百持股子公司，尔必达的12吋厂产能若得以灵活运用，联电将可顺势进入日本特殊应用芯片（ASIC）代工市场。

然随着整合型单芯片的市场应用趋于成熟，尔必达于去年宣布成功开发出以Cu-TSV技术生产的8Gb DDR3，但为了将Cu-TSV技术应用到逻辑芯片产品线，或是应用到整合内存及逻辑芯片的整合型单芯片市场，于是联电、尔必达不仅决定再度合作，还找上了在TSV市场已有初步研发成果的力成，3家公司共同合作抢进日益重要的Cu-TSV等3D芯片市场。

相较于联电结合了尔必达及力成的DRAM制造及封测资源，共同开发TSV技术，台积电与转投资封测厂采钰、精材间，已经藉由先进光学封装技术布局3D芯片，并开始量产部分制程采用TSV技术的CMOS影像传感器，同时也在其开放创新平台（OIP）中，提供客户有关TSV相关的晶圆制造及封测等制程。