联电：3D IC会全面扩及各应用 拼完整解决方案

晶圆代工业者联电(2303)执行长孙世伟于今(21)日表示，联电将以自身在先进逻辑制程上的技术优势，与日商Elpida、力成(6239)等两大业者在3D IC领域上进行广泛的技术合作，且预计会以TSV(Through-Silicon Via,直通硅晶穿孔)制程开发为核心，共同开发Logic+DRAM的3D IC完整解决方案。孙世伟也预期，强调多芯片堆栈又能符合耗电、成本与效能导入需求规范的3D IC，未来将会成为全面性的应用技术，陆续深入包括手机与PC等主流相关应用领域。

联电副总经理暨先进技术开发处处长简山杰表示，根据这次公司与日商Elpida、力成的三方规划，未来3D IC相关技术研发初期都会在日本进行，且随着CMOS制程微缩带来的技术与成本上的挑战，采用TSV制程技术的3D IC架构便成为摩尔定律之外的另一个新选择；同时初步预期明年中时就会完成相关产品的试做，惟实际投产情况，以目前生产成熟度与客户接受度等观点来观察，预期3D IC在2012年时即有机会导入量化生产。

孙世伟则指出，尽管距离3D IC产品量产还有一段时间，惟预期藉此一合作而掌握TSV制程技术的联电，也可望在晶圆前段生产过程中得到更多新的商业合作机会，同时Elpida亦会参与相关产品的设计开发；同时三方在3D IC领域的合作，仍将专注于产品与制程技术开发的综效上，因此尽管这次基于该项完整解决方案对客户端的推广，而由联电方面出面主导发布，惟未来究竟会由谁执行量产，目前也还尚未讨论。

此外，简山杰也指出，在将TSV技术整合DRAM与逻辑技术后，预计其提供的效能已可满足各项可携式电子产品3C功能持续整合的发展趋势，而这项合作亦能促进完整解决方案的开发，其中，包括Logic+DRAM接口设计、TSV结构、晶圆薄化、测试与芯片堆栈组装等，换言之，这项技术将可增加成本竞争优势，改善逻辑良率效应，并加快3D IC市场的发展进程。

然而，由于需要3D IC TSV解决方案来生产次世代产品的客户，正面临包括标准化、供应链基础架构、设计解决方案、封装测试整合以及成本问题等多项挑战。因此，联电指出，公司身为3D IC整合解决方案的晶圆制造厂，也冀望藉由这次三方合作能针对各种不同应用产品，共同为客户的3D IC设计开发一个完整的TSV整合解决方案，并支持采用其他TSV方法的客户，透过与现有封装伙伴合作发展出适切的解决方案，以满足下游客户的需求。

除正式积极展开布局的3D IC TSV完整解决方案外，在其他先进制程进度上，联电在去年10月成功产出40奈米制程高效能产品后，在28奈米制程方面也颇有斩获；该公司即预期包括后闸极(gate-last)高介电系数/金属闸极(HK/MG)研发等，均预计在今年底前即可准备就绪，并进行客户硅智财(IP)验证。