IEDM综述：具备卓越性能的32nm制造工艺技术

英特尔此次发布的32nm工艺制造技术，在SoC用途方面具有卓越的性能。这一点与该公司在此次IEDM的其他论文中发布的个人电脑等高性能微处理器用32nm工艺制造技术相比一目了然。

采用此次发布的英特尔高性能微处理器制造技术的晶体管通态电流方面，NMOS为1.62mA/μm（断开电流为100nA/μm，电压为 1.0V），PMOS为1.37mA/μm（断开电流为100nA/μm，电压为1.0V）（图）。与该公司的45nm工艺高性能微处理器制造技术相比，通态电流在NMOS方面增大了19％，在PMOS方面增大了28％，再次打破了该公司每代工艺都连续刷新的记录。



英特尔此次还宣布，“已经在两个工厂开始量产供货”（英特尔）,通过32nm工艺技术制造的多核微处理器产品。

令人惊讶的是，前面提到的32nm工艺SoC制造技术，也可以使用性能与之没有什么不同的晶体管。这意味着英特尔将有可能在今后投放性能大幅高于现有产品的SoC。

英特尔的竞争对手——IBM联盟的半导体制造技术人员透露了他们的感想，“说实话，我们惊讶于英特尔的晶体管性能”。在不远的将来，英特尔完全有可能会席卷重视性能的SoC市场。

SRAM单元泄露电流较小

在性能方面英特尔更胜一筹，而在低功耗方面则是IBM联盟更为出色。如实表现这一点的就是SoC中集成的SRAM的单元泄露电流。电源电压为1.0V 时的SRAM单元泄露电流，在采用英特尔32nm工艺SoC技术时为100～200pA左右，而采用IBM联盟的28nm工艺SoC技术时则为 20～30pA左右，仅为前者的1/5左右。IBM联盟的半导体制造技术人员认为，原因是“我们的28nm工艺制造技术的功耗较低，甚至可以用于便携产品用SoC中”。

实际上，当用于便携产品用SoC等时，厂商希望将SRAM单元泄露电流降至20pA左右。换言之，SRAM单元泄露电流达到100～200pA的英特尔SoC制造技术要想用于便携产品用SoC中，还需要下为新产品一番功夫。（记者：大石 基之）