联电65奈米以下比重大跃进　2Q将达25%

联电在先进制程有所进展！联电执行长孙世伟表示，该公司在40奈米良率持续提升，28奈米后闸极(HK/MG)技术也将于2010年底达到 IP试制能力，20奈米也于2010年初与客户合作进行规画。孙世伟看好65奈米以下先进制程技术发展，估计第2季65奈米以下制程比重将往25%靠近，年底前可望进一步跃升到30~40%。

联电第1季65奈米以下制程技术比重约18%，较2009年第4季上升1个百分点。预期第2季可望显著攀高，将逼近25%。联电执行长孙世伟预期，下半年65奈米以下制程技术比重可望进一步达30~40%。

其中，40/45奈米制程下半年比重将拉高至3%，估计到年底40奈米静态月产能约5,000~10,000片。

孙世伟表示，该公司自行研发的高效能40奈米逻辑制程，在客户产品生产良率上持续稳定提升，45奈米低功率制程亦顺利量产。在40奈米客户开发上，无论是高效能或低功率制程，已有多家客户产品验证成功，并持续支持更多客户的产品设计。

而 28奈米后闸极(HK/MG)技术开发顺利，已按既定计画预计于 2010年底达到IP试制的能力。先进20奈米技术也于2010年初开始与客户合作进行规划及先期开发工作。

随著高阶技术进展，孙世伟说，联电陆续投入的资本支出将逐季开出高阶产能。其中，新加坡Fab12i厂65/55奈米产能将自第2季起显著增加；台南科学园区 Fab12A厂第3期无尘室相关设施与机台装置时程将提前至第3季完成，预计于第4季开始试产。

孙世伟估计，12寸晶圆产能估计到年底将比 2009年底增加12%，其中第1季比上季成长2%，第2季将再比首季成长2.5%，到第3季会成长更多，幅度略低于4%，主要系新加坡Fab12i厂产能开出所贡献。

展望第2季营运，联电第2季晶圆出货量将会再成长7~9%，续缔新猷；平均单价会较首季上升，然而恐将遭新台币升值所抵销；由于客户需求畅旺，产能利用率将可望高于95%，进而提振毛利率上升至25%以上。

在财报部分，联电2010年第1季营收为新台币 267.2亿元，较上季减少约3.7%，单季毛利率降至24.6%，税后净利34.8亿元，较前季减少近21%，每股净利0.28元。

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