微缩制程竞赛加速　2012年Global Foundries正式挑战台积电

自2009年3月Global Foundries正式成立以来，先承接超威(AMD)半导体制造部门位于德国德勒斯登(Dresden) Fab-36、Fab-38两座8吋晶圆厂，并将这两座8吋晶圆厂合并并升级为12吋晶圆厂外，还在美国纽约建构新的12吋晶圆厂Fab-8，该厂预计将于2012年完工。

更重要的是，Global Foundries于2009年第4季宣布收购全球第3大晶圆代工厂特许半导体(Chartered)，并已于2010年1月20日正式将 Chartered并入Global Foundries。

Global Foundries挟着阿布扎比先进技术投资公司(Advanced Technology Investment Co.；ATIC)雄厚资金来势汹汹，在12吋产能扩充一举超越联电，成为全球拥有12吋晶圆产能第2大的晶圆代工厂。

在微缩制程发展进度上，更是直逼晶圆代工领导厂商台积电，这也让全球主要晶圆代工业者2010年资本支出大幅增加，除用在12吋先进制程产能转换与扩充外，对次世代32/28奈米制程开发脚步更是加快速度。

然而，要进入32/28奈米制程，高介电系数金属闸极(High-k Matel Gate；HKMG)制程就成为必要发展技术。

除各晶圆代工业者积极投入高介电系数金属闸极制程研发外，正因高介电系数金属闸极技术所制造出来的芯片具备低耗电与高效能优势，因此，晶圆代工业者也将28奈米制程整合成两种闸极技术，锁定不同终端市场应用，希望藉此创造晶圆代工产业未来成长动能。

台积电在取得40奈米制程市场优势后，在 28奈米制程，甚至20奈米制程世代的研发，亦是不遗余力，就是希望就此拉大与其他竞争对手间差距。但后起之秀的Global Foundries亦不容忽视，在先进制程研发脚步上紧追台积电之后。

透过产能扩充进度、先进制程技术蓝图的推进，及先进制程低耗电与高效能两个不同平台所应对终端市场布局，可以看出Global Foundries布局策略，将以从台积电手中瓜分订单视为未来重要营运指针，DIGITIME预估，Global Foundries将会在2012年正式挑战台积电。