台积电超越英特尔直接发展20纳米制程

处理器大厂英特尔一向是半导体制程的领导者，去年英特尔32纳米制程量产， 2011年底将推出22纳米制程的产品，台积电则直接跳过22纳米，跨进20纳米，挑战英特尔在先进制程的领导地位。台积电今年预计以48亿美元的资本支出，持续主导晶圆代工产业，并成为有效产能的领先提供者。在先进制程部分，昨天宣布跳过22纳米，直接发展20纳米，台积电表示，这是基于为客户创造价值而做的决定。

蒋尚义在技术论坛以“创新的新路”(A new way to innovation)为题演说，他提到台积电未来需把三件事情做好，一是先进制程技术持续往前，二是提供超摩尔定律(Moores than More)的可能性，为半导体制程发展找到新的延续，三是继续整合封装、3DIC、硅智材。蒋尚义并宣布台积电将直接投入20纳米研发；他表示，20纳米制程比22纳米拥有更优异的闸密度及芯片效能／成本比，其闸密度比28纳米高两倍。

台积电2008年5月与英特尔、三星电子曾共同声明，2012 年将是半导体发展18吋晶圆厂的适当时机，届时台积电与英特尔、三星等半导体大厂将一起成为最新世代的领导厂。外界关注台积电20纳米是否在18吋晶圆厂生产，台积电表示，这要看整个业界的状况；设备商认为，一旦20纳米量产启动，18英寸需求将有机会浮现，引发下一世代设备厂商的商机。