台积电跳过22nm，直接从28nm到20nm
时间：2010-04-14 20:06:00
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[导读]半导体厂商台积电（TSMC），在近日举行的2010TechnologySymposium讨论会上，再度做出了惊人的壮举，跳过22nm，直接从28nm到20nm制造工艺。 台积电公司发言人蒋尚义表示，20nm工艺的转换将会带来极高的栅密度以及优于
半导体厂商台积电（TSMC），在近日举行的2010TechnologySymposium讨论会上，再度做出了惊人的壮举，跳过22nm，直接从28nm到20nm制造工艺。
台积电公司发言人蒋尚义表示，20nm工艺的转换将会带来极高的栅密度以及优于22nm工艺的性价比。新的20nm工艺将会采用增强型高K金属栅极(HKMG)、应变硅、低电阻铜超低K等连接技术。此外还包括有创新的patterning技术以及布局设计方法等。
预计20nm制造工艺技术将会在2012年下半年开始进行试产。
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