诺发系统发表3-D半导体整合之铜硅穿孔(TSV) 共同研发项目

(中央社讯息服务20100401 14:49:11)诺发系统日前宣布与IBM成立共同研究项目，将利用诺发之电镀铜SABRE与电浆辅助化学气相沉积VECTOR系统，设计出可制造3- D半导体铜硅穿孔(TSV)之制程，该新制程将可应用于小体积与低耗电的3-D整合产品。

使用TSV技术将半导体工业推往3-D整合是一股强烈的趋势，将多种组件堆栈成类似三明治结构与用铜孔连接所有导电层，此技术增加了电路密度并使最终组件变小，透过每个组件间较短的连接长度，进而增加组件速度与较低的电力消耗，堆栈的结构也允许多种特定功能组件的组合，包含利用非同构型的整合，以符合现今不断缩小之电子产品的需求，如手机、PDA及笔记本电脑，然而，对于整合TSV到半导体制程，以至于新结构需同时俱有高可靠度与低制造成本上，仍面临数个重要挑战。其一是于极深的高长宽比结构之无洞填充时，降低过多的铜沉积或承载，承载厚度会随着TSV的形态而改变；另一个挑战则需要低温沉积介电薄膜的能力，如此一来，在TSV的制造流程中，芯片上热预算才不至于超过标准。

诺发系统已发展出一套特殊高效的SABRE Electrofill@ TSV 制程，该制程使用享有专利权的设备，以及电镀液达到最低过量铜之无洞填充，过多铜可降低75%，容许使用传统的化学机械硏磨(CMP)代替客制研膜泥浆，此外，SABRE的优化TSV电镀液提供较短的电镀，因而能有较高的生产率。为了解决低温介电膜的需求，诺发系统的VECTOR平台搭配着独创的多站连续沉积结构(MSSD)，使得具有稳定且高良率的TSV制程，在崩溃电压、漏电行为及芯片间的再现能力，与200度以下介电膜沉积的要求上成为可能。 SABRE与VECTOR的应用简化了TSV的制造流程，并开创了低成本、高效能3-D集成电路的广范应用，诺发系统与IBM将一起合作评估与研发制程应用于IBM的3-D整合项目。

IBM半导体研究与研发中心的最杰出工程技术人员Subramanian Iyer博士表示：「早在1990年代中期，从双方研发最初大量生产的机型开始，诺发系统与IBM在后段铜制程已有长久的合作关系，我们将利用诺发系统在电镀铜与介电沉积技术的核心竞争力，期待双方的再次合作」。

诺发系统营销与客服部执行副总Tim Archer说：「诺发系统非常兴奋能与IBM合作研发突破性制程技术。我们的SABRE系统提供卓越、有成本效益的填铜技术于硅穿孔应用，同样的，我们的VECTOR系统中的MSSD构造，也使得在温度200度以下稳定介电膜沉积成为可能，这亦成为这些新3-D应用里的特别需求」。


关于诺发系统
诺发系统是全球半导体产业中领先的先进制程工艺设备供应者。该公司产品支持的创新技术及提供信赖生产力为客户创造价值。是标准普尔 500 (S&P 500)强公司之一，诺发系统的总部设在加州圣荷西，其附属办事处遍布全球。欲了解更多信息，请浏览www.novellus.com。

Novellus 和VECTOR皆是注册商标，而VECTOR EXPRESS是诺发系统的商标。