尼康与ASML围绕英特尔展开攻防战
扫描二维码
随时随地手机看文章
围绕新一代半导体制造中使用的曝光装置,尼康与荷兰阿斯麦(ASML)之间的攻防战越来越激烈。双方最大的焦点是逻辑LSI用曝光装置。更具体地说,就是美国英特尔公司将决定22nm和16nm工艺中选择采用何种曝光装置,而这正是尼康“大本营”。在2010年2月底于美国圣何塞举行的“SPIE Advanced Lithography 2010”及其前后的发布中,备受关注的一点就是ASML宣布其获得了英特尔的“Preferred Quality Supplier(PQS)Award”大奖(ASML的英文发布资料)。对ASML来说,这是首次获得此项大奖。
ASML自己宣布获奖,是为了强调“英特尔的新一代逻辑LSI采用了ASML的曝光装置”。目的是通过公布获奖一事,来间接表明英特尔采用了自己公司的产品这一事实。另外,尼康也宣布自己获得了此项大奖(英特尔的英文发布资料、尼康的日文发布资料)。
英特尔正在开发新一代的22nm工艺,其中采用了ASML的曝光装置。估计英特尔采用的是二次图形曝光(Double Patterning)用ArF液浸曝光装置,另外还采用了尼康的装置。英特尔量产22nm工艺时,二次图形曝光用ArF液浸曝光装置方面,ASML的采用比例有可能会接近半数。
估计英特尔采用ASML的曝光装置的原因在于CoO(Cost of Ownership)。ASML的二次图形曝光用ArF液浸曝光装置的价格,要比尼康的装置高几十%。如果可以获得超过这个价格差的生产效率,ASML的曝光装置就可以在CoO上处于优势地位。其实,在面向32nm工艺的量产用ArF液浸曝光装置的CoO方面,最初ASML一直领先于其他厂商,不过之后尼康的装置逐渐接近业界公开的性能,ASML和尼康在CoO方面势均力敌。
对于尼康来说,与ASML共同分享向英特尔量产用ArF液浸曝光装置这块“蛋糕”是非常痛苦的。原因是在32nm和45nm工艺用途中,此前基本上一直是由尼康垄断量产用曝光装置。
另外,估计在2015年以后开始量产的16nm工艺用途中,英特尔可能会采用EUV(Extreme Ultra Violet)曝光装置。ASML和尼康在EUV曝光装置方面所采取的战略有很大差别。ASML自己冒险主导开发了EUV曝光装置,实用化的预感越来越强烈。首先,预计DRAM和NAND型闪存厂商将在2010年下半年以后开始导入ASML的试制用和初期量产用EUV曝光装置,在2011年下半年以后用于内存的量产中。(记者:加藤 伸一)