爱发科在第4代玻璃底板上制成氧化物半导体TFT

爱发科在730mm×920mm的大尺寸底板整个表面上制成了多个In-Ga-Zn-O（IGZO）透明非结晶氧化物半导体TFT（IGZO-TFT），并获得了出色的晶体管特性。该底板由多个硅底板构成，尺寸与第4代玻璃底板相当。爱发科今后还计划“确立一项新技术，即在相当于第8代以后玻璃底板的2000mm见方以上的底板上形成IGZO-TFT”。该公司在第57届应用物理学相关联合演讲会（东海大学湘南校区，2010年3月17～20日）上公布了此次的成果（演讲序号：17a-TL-5）。

爱发科此次在730mm×920mm底板的整个表面制成了6～25个IGZO-TFT，并测量了这些TFT的特性。制成的IGZO-TFT的栅长为0.1mm，栅宽为1mm，构成材料方面，通道采用IGZO，栅极绝缘膜采用SiO2，源漏电极采用Al。IGZO通道成膜时采用了该公司此前用于大尺寸玻璃底板成膜的AC（交流）溅射法。IGZO成膜后，在400℃条件下进行15分钟的退火处理。

验证结果显示，底板上的任何位置都可获得出色的TFT特性。平均特性方面，载流子迁移率为7cm2/Vs，亚阈值（S值）为0.15mV/十位，导通/截止比为10。此外，爱发科还表示，IGZO成膜时采用的AC溅射法的经时稳定性较高。据介绍，在同一靶材上堆积180μm厚IGZO膜前后，制成的IGZO-TFT的特性并没有很大变化。另外，此次用于AC溅射法的靶材由爱发科内部制造。

爱发科今后还考虑以支持更大尺寸的底板为目标，在改进AC溅射法及活性气体导入法的同时，还将确立大尺寸靶材的制造方法。（记者：大下 淳一）