台积电发明专利数量全台第三，技惊四座

《宝岛纵横》台湾是一个重视科技工业的地方。同样，企业亦都必然注视智识产权的保护。
企业一直热衷于申请专利以保障产业权益。台湾经济部智慧财产局，或称ＩＰＯ，于上星期公布
２００９年领取台湾已授权专利的统计资料。２００９年总共有４﹒３７万份已授权专利。当中
属于发明的授权专利有１﹒４１万份，而属于有关产品外型、结构及制造的技术概念授权专利有
２﹒３５万份。最后剩下的５９９５份则是设计类型的。

＊台积电发明专利数量全台第三＊

不难想象，三大授权专利都各自维护参与不同产业链的各机构。以富士康（０２０３８）为
例，基于业务主要集中于电子产品的代工生产，所以申请专利亦以与产品外型、结构及制造的技
术概念为主。
虽然如此，三类授权专利富士康都是独占鳌头的。不要以为于台湾申请专利只是台企之间的
玩意，好些国际知名的电子科技公司亦积极于岛内申请专利，如Ｓａｍｓｕｎｇ、Ｓｏｎｙ、
Ｉｎｔｅｌ、Ｈｙｎｉｘ、Ｓｈａｒｐ等。不计算产品外型、结构及制造的技术概念授权专利，
外企的授权专利数量占近全台的４７％。
而值得注意是，发明专利的数量比较。此类专利的技术含量应是最高。以数量计，２００９
年获得已授权发明专利的５大机构，排名顺序是富士康、台湾工研院、台积电、友达及
Ｉｎｔｅｌ。从数量比对能力并不公平，因为每份专利的技术含量皆不能从数字反映，但亦可作
为企业投放研发资源及技术领先的参考。
台积电虽然以２２５份发明专利排第三，低于获授权３９０份发明专利排名第二位的台湾工
研院。但台湾工研院属研究机构，而且参与的产业亦非常广泛。故此，可见于半导体产业中，台
积电的研发能力及资源投放都稳占领导地位。未来几年，相信台积电于半导体生产技术上都难逢
敌手。

＊３２╱２８ｎｍ制程的技术改革＊

台积电一改以往用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工艺的做法，计划于２８ｎｍＨＫＭＧ栅极结构
制程技术中采用Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ工艺。业界内，Ｉｎｔｅｌ是Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ的先锋，
从４５ｎｍＨＫＭＧ制程起便一直在采用；而ＩＢＭ、ＡＭＤ、
Ｇｌｏｕｂａｌｆｏｕｄｒｉｅｓ则沿用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工艺。台积电解释，如今的
Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ＋ＨＫＭＧ工艺很难控制管子Ｖｔ电压，而在管子的上覆层
（ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ）上想办法进行补偿的难度相当高。
工艺转换不仅需要芯片代工厂商调整工序和制造工艺，还需要电路设计方调整电路
Ｌａｙｏｕｔ设计，这样才能在转换工艺后保持产品的管芯密度不变。台积电为克服这些问题，
正与客户的电路设计Ｌａｙｏｕｔ团队一起合作解决。台积电表示，今年将启用三种不同的
２８ｎｍ制程实施计划。
虽然从４０ｎｍ转向２８ｎｍ制程的风险相当高，但台积电已作出各方准备，如工艺可靠性
，以及产品优良率控制等。为了顺利进行技术改革，更从２００６到２００９年，增加技术团队
人数达一倍。种种付出都是为了坚持其具前瞻性的看法。台积电令人惊讶的不独是技术水平，还
有是管理层的执行力与其勇于创新的管理哲学。