GLOBALFOUNDRIES和ARM发布28nm SoC技术 2010年下半年即可使用

美国GLOBALFOUNDRIES公司和英国ARM公司共同开发了移动设备用28nm级的SoC技术，并在正于西班牙巴塞罗那市举行的 “Mobile World Congress 2010（MWC 2010）上发布。该技术基于ARM的“Cortex-A9处理器”和物理层IP内核，以及GLOBALFOUNDRIES的28nm工艺技术。 GLOBALFOUNDRIES表示，这一28nm工艺2010年下半年开始就可以使用。

两公司联合开发的28nm SoC技术主要面向智能手机和智能本（Smar-Book）等高性能便携终端所配备的LSI。与45/40nm工艺相比，同等功耗下运行速度可提高 40％，同等运行速度条件下功耗可减少30％。GLOBALFOUNDRIES准备有超低耗电（SLP：super low power）版和高速版（HP：high performance）版两种28nm工艺。均采用高介电率（high-k）栅极绝缘膜/金属栅极技术，沿用了原有的称为Gate First方式的的栅层叠（Gate Stack）形成工序。

ARM在GLOBALFOUNDRIES之外，还在与美国IBM公司的工艺开发联盟（the IBM Joint Development Alliance）的成员企业联合开发使用高介电/金属栅极技术的工艺和物理层IP内核。ARM预定在MWC 2010上首次披露集成有与上述成员企业联合开发的28nm SoC晶圆。

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