台积电22奈米制程蓝图首次曝光

李洵颖／台北 台积电在日本横滨举办高阶制程研讨会，该公司新世代22奈米制程技术蓝图首次对外曝光。台积电研究发展资深副总经理蒋尚义在会中指出，台积电已切入22奈米制程的研发作业，计划2012~2013年将可望进入试产。蒋尚义也在会中明白点出28奈米的试产时程，预计将在2010年下半。这是台积电继日前以28奈米制程拿下赛灵思(Xilinx)可编程逻辑芯片(FPGA)订单后，再次以先进制程拉开与竞争对手的差距。

台积电2010年将28奈米制程视为研发技术重点，但也不忘积极规划22奈米以下的市场。蒋尚义指出，台积电22奈米高效能制程(HP)将于2012年第3季试产，22奈米低功耗(LP)制程则会在2013年第1季试产。这是台积电首度将22奈米制程时程对外公开。

此外，被视为2010年重点之一的28奈米制程进度，蒋尚义说，28奈米LP制程将于2010年6月底试产，28奈米HP制程则将在2010年9月试产，而低耗电高介电层／金属闸(28HPL)制程的试产时程则在2010年12月进行。台积电自2008年宣布切入28奈米研发领域后，现阶段的试产进度较预期递延约1个季度，但台积电在日前以28奈米HPL制程拿下赛灵思FPGA订单，预期28奈米可望于2010年底前开花结果。

根据台积电先前的28奈米? s程蓝图，28奈米LP制程预计于2010年第1季底进行试产，28奈米HP制程则预计于2010年第2季底开始试产，28奈米HPL制程的试产时程将继前两者之后推出，于2010年第3季进行试产。

至于独占全球的40奈米制程，蒋尚义表示，台积电目前该制程在全球市占率已有80%以上。尽管2009年中曾出现良率问题，但经过2个季度，该问题已获得完全解决。蒋尚义说，40奈米缺陷密度(Defect Density)已从原先的每平方英吋0.3~0.4下降到0.1~0.3。40奈米制程占营收比重在2009年第4季时约9%，在良率问题获得改善后，蒋尚义估计至2010年底将可提升至20%。

此外，为因应40奈米需求攀升，台积电扩充季产能的计划也同步进行。蒋尚义指出，目前台积电40奈米季产能为8万片12吋晶圆，集中在竹科的12厂(Fab 12)，预计在2010年底季产能将倍增到16万片，届时部分产能也会配置在南科的14厂(Fab 14)。待产能扩充完成后，亦有助于提振40奈制程营收比重。