台积电跨入EUV微影技术领域

台积电（2330）与微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）昨（22）日共同宣布，台积电将取得ASML的TWINSCAN NXE：3100极紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）微影设备。这是台积电在布局多重电子束的无光罩（maskless）、双重曝影（double patterning）浸润式等微影技术之外，首度宣示将跨入极紫外光微影技术领域。

台积电在目前量产中的40奈米，及年底即将进行风险试产的28奈米，均采用双重曝影的浸润式微影技术，但现阶段投入研发的22奈米，过去一年来锁定的微影技术，较倾向采用多重电子束的无光罩技术，对于由ASML主导的EUV技术较少着墨。不过，由于三星、东芝、海力士等业者，已成功利用EUV发展30奈米及20奈米世代的内存微影技术，台积电昨日宣布，开始跨入EUV微影技术的研发。

台积电及ASML昨日宣布，台积电将取得ASML的EUV微影设备，并安装在竹科12吋厂Fab12这座超大晶圆厂（GigaFab）中，用以发展新世代的制程技术。台积电也将成为全球第一个可在自有晶圆厂发展EUV微影技术的晶圆代工厂。

台积电指出，相较于现行浸润式微影技术以193奈米波长当作光源，EUV微影技术导入更短波长的光源，将有机会降低生产成本，而成为集成电路制造更先进技术世代一个有潜力的选择。台积电目前正在对EUV及其他微影技术的最佳成本效益的潜力进行评估。

台积电研究发展资深副总经理蒋尚义表示，台积电利用ASML的TWINSCAN NXE：3100设备，进行更先进世代制程技术的研发。EUV微影技术是台积电正在研究的次世代微影技术之一，而导入此项设备，不但切合台积电保持先进技术领先的目标，更强化了台积电不断投资于欧洲半导体业创新的一贯承诺。

由于EUV设备仍然十分昂贵，相对应的光罩投资金额也十分惊人，22奈米世代的研发投资几乎是上一世代28奈米的一倍，所以连芯片龙头大厂英特尔，至今对于EUV导入量产仍持保留态度。不过，一旦全球主要微影设备厂开始将EUV视为未来重点发展方向，EUV仍有机会在22奈米及更次世代的15奈米，成为微影技术的重要解决方案。