450mm晶圆,EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟至2015-2016年

半导体技术市场权威分析公司IC Insights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术（EUV）投入实用的时间点将再度后延。

据IC Insights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望开始实用化建设--比预期的时间点后延了两年左右。另外，预计16nm级别制程技术中也不会应用EUV光刻技术，这项技术会被后延到2015年，在13nm级别的工艺制程中投入实用。

另外一项较新的半导体制造技术，可用于制造3D堆叠式芯片的硅通孔技术（TSVs）也仍然处于萌芽状态，IC Insight公司的分析师 Trevor Yancey表示，此前外界似乎过高估计了这项技术的成熟度，目前这项技术要投入实用，还需要解决很多有关测试和成本方面的问题。

这样的分析结果意味着曾被人们寄予厚望的，能用来延续摩尔定律寿命的三项新技术：450mm，EUV以及TSVs离投入实用还有一段时间。

450mm技术实用化的后延并不令人感到意外，毕竟转换到450mm技术需要大量的资金投入，而且眼下经济危机的阴云还没有完全散去。据先前的报道，Intel，台积电以及三星三家公司将各自在2012年前建成自己的450mm试验用厂房。这几家公司都希望能在32nm制程节点上采用 450mm晶圆制出展示用样品，并将在22nm制程节点上采用450mm晶圆进行小量试产。不过也有人认为450mm工厂永远也不会投入实用，他们认为相关的研发费用实在是太高了。

在最近举办的半导体产业策略研讨会上（ISS），有传言称芯片厂商已经暂时放弃了建设450mm晶圆厂的计划，并称有关的计划只有在15nm节点制程才有望得以实施。据业者猜测，经济危机，缺乏设备制造厂商的有力支持应该是造成计划拖延的主要因素。

EUV技术方面，由于在光阻胶以及光掩模板等方面仍有技术难题需要克服，因此投入实用的日期也将从原先预计的2013年16nm制程节点拖后到2015年左右的13nm制程节点。此前包括Intel和三星在内多家厂商和半导体制造协会均表示，由于资金短缺，和EUV光掩模检具的匮乏，因此EUV光刻技术的实施日期将后延一段时间。

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