台积电12寸厂2年内达10座　40纳米良率底定28纳米3Q量产

台积电新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式举行上梁典礼，台积电营运资深副总刘德音表示，phase 5预计2010年第3季投入28纳米制程量产，此外，南科Fab 14第4期厂房过完农历年后亦将开始动工兴建，以加速扩充40纳米制程产能。他并透露，未来新竹亦规划投入phase 6用来投资22纳米制程。因此，根据台积电目前建厂规画估算，2年内台积电12寸厂数将高达10座之多，堪称业界之冠！

台积电新竹Fab 12第5期19日举行上梁典礼，典礼主持人刘德音表示，预计2010年第3季迅速完工装机，并开始投入量产。值得注意的是，Fab 12第4、5期是台积电最新世代研发暨初期量产厂房，其中，第4期厂房已于2009年第3季开始量产，第5期则是紧接著在2009年底动工，近期赶工扩建便是为满足客户急增的需求。

未来Fab 12第5期厂房除负责28纳米制程产品量产，亦将担负22纳米及更先进制程技术研发重任，现阶段台积电28及22纳米制程研发正在Fab 12第1、2期厂房进行，预计第4季28纳米制程投入量产。刘德音表示，位于台南厂区Fab 14第4期厂房，过完农历年后开始动工兴建，并预计迅速于2010年底完工装机，在既有40纳米制程产能上再行扩充。

新竹Fab 12第5期厂区算是台积电第8座12寸厂，而南科将扩建的Fab 14第4期厂房预料将是第9座12寸厂，刘德音透露，接续28纳米之后的22纳米制程，未来很可能交由新竹Fab 12第6期承担。因此，依此估算，台积电近2年内12寸晶圆厂数便将高达10座。

其它晶圆代工厂方面，2010年起联电亦将积极布建先进制程产能，主要以45/40纳米制程扩充为优先目标，其中，位于新加坡生产基地Fab 12i已积极启动扩产计画，目前Fab 12i月产能为3.1万片晶圆；南科12B亦将加入扩产行列，这2大基地将是联电产能扩充空间最大的12寸厂。

至于全球晶圆 (Global Foundries)合并新加坡特许(Chartered)之后，新加坡Fab 7产能将从3万片扩增至5万片，而既有位于德国德勒斯登12寸厂Fab 1第1期将主要投入高效SOI制程，第2期则锁定扩建32纳米以下CMOS制程，而美国纽约Fab 8预计最快2012年投入初期量产。

此外，面对业界所关心40纳米制程良率进展，刘德音表示，之前设备腔体变异一致性(chamber matching)问题已获解决，目前40纳米良率水平已与65纳米同阶段进展相当，大量生产没有问题。近期台积电确实已感受到客户对先进制程产能需求强劲、供给吃紧，台积电将加强投资力道与研发，全力满足客户需求。

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