《半导体》台积电与高通携手28奈米制程，今年中投产

台积电(2330)与美商高通公司（Qualcomm Incorporated）共同宣布，双方正在28奈米制程技术进行密切合作，高通预计于2010年年中投产首批28奈米产品。
小尺寸与低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案之重要特色。基于双方长久的合作关系，高通与台积公司正携手将产品从45奈米制程直接推进至28奈米制程。
此先进制程世代可以更具成本效益的将更多功能整合在更小的芯片上，加速无线通信产品在新市场上的扩展。

高通与台积电过去在65奈米与45奈米制程技术合作十分密切，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28奈米世代进行量产。28奈米制程密度可较前一代制程高出一倍，让执行行动运算的半导体组件能在更低耗电下提供更多功能。高通与台积公司目前在28奈米世代的合作包括高介电层╱金属闸（high-k metal gate, HKMG）的高效能制程技术以及具备氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）的低耗电高速制程技术。