Lasertec将上市SiC晶圆缺陷检查装置

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Lasertec开始受理SiC晶圆缺陷检查装置“WASAVI系列CICA61”的订单。SiC晶圆正在功率元件领域普及。此次的产品主要用于评价分析SiC晶圆外延生长工艺的开发、管理制造工序中的工艺以及对晶圆进行供货及验收检查等用途。

SiC晶圆受到晶圆本身透光引起的背面反射光及外延晶圆特有的阶梯冲裁（Step Punching）的影响，存在难以检查缺陷的课题。因此，在进行SiC晶圆缺陷检查时，只能利用光学显微镜的暗场像（Dark Field Image）观察从晶圆上飞出的异物造成的散乱光。

CICA61组合使用了在纵向观察中突出较强的共焦光学系统及微小差异进行观察的差分干涉测量法，可高精度检测表面凹陷、堆垛层错（Stacking Fault）及碎屑（Carrot）等晶圆表面较浅的凹陷形状缺陷。还备有缺陷分布图显示功能、缺陷分类功能及高精度3D形状检测功能等。

Lasertec表示，“已有很多厂商订购，除了研发用途之外，在制造过程中采用该装置的情况也不断增多”。