诺发先进SPM-F技术协助提升晶圆厂产能

诺发系统(Novellus)近日开发出一项SPM-F填充制程技术，以延伸其SPEED MAX系统在隔离浅沟槽(STI)充填沈积应用至32柰米技术节点。这种新制程技术利用SPEED MAX高密度电浆化学气相沈积(HDP-CVD)平台，可取代湿式刻蚀加工，并可发挥动态配置控制(DPC)功能，从而增加晶圆厂的生产力。
控制溅射到沈积(S/D值)的比例并产生连续式的沈积/蚀刻来编织需要的轮廓，诺发系统工程师使用氟(SPM-F)开发出这种单次，连续调制轮阔技术以填补32柰米功能架构。此一制程同时也能可满足严格的STI逻辑应用的整合上需求和量产制造的必要条件。
随 着半导体制造商转移到32奈米以后，需要以最少的硬件修改扩展现有的平台技术是至关重要的，不仅要满足发展的时间表，而且要管理制造成本。由于改变新材料 会增加整合上的不确定以及用来取代的新沈积薄膜技术有很多不可取的特质，所以HDP仍是先进的填充几何结构介质技术首选。
然 而，要达到32奈米以后之间隙充填需求，传统HDP沈积过程中，利用交替沈积和蚀刻周期填补功能必须小心控制。太多的沈积/蚀刻周期，或控制过程的不一致 性，会导致过多的消减或产生坑道内的空洞而损失晶圆良率。加入湿法刻蚀的过程是可以克服填空不足但会增加成本及整合的复杂性和生产率低下降。为了实现完整 的填空能力而不使用湿法刻蚀步骤，必须调整优化晶圆上制程参数，如S/D值，化学反应和蚀刻均匀性。
诺发SPEED Max系统展延HDP-CVD方法应用到45和32奈米技术节点。该系统的恒温反应室的设计以及结合扩大电浆源其允许生产更多的晶圆在反应室的累积膜厚清 除循还之间提供卓越的系统生产量。此外SPEED Max的多口喷射，再加上独立电浆源技术所定制重复的沈积和蚀刻的最佳程续可达成晶圆上薄膜厚度和充填的均匀性。
诺发系统发展出SPPED MAX系统平台上独特的SPM-F填充制程来除去额外湿式蚀刻的步骤。利用SPEED MAX的密集电浆源和DPC技术，能够减少结构上端氧化程度并消除在高低密集数组上的切剪效应来完成填充的32奈米结构。