GLOBALFOUNDRIES将在GSA展突显32nm/28nm技术领先地位

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随着半导体行业开始向下一代技术节点过渡，GLOBALFOUNDRIES有望占据代工技术领先者的地位。10月1日，在加利福尼亚州圣克拉拉市举办的全球半导体联盟新机遇会展(Global Semiconductor Alliance Emerging Opportunities Expo & Conference)上，GLOBALFOUNDRIES（321号展位）将提供有关其32nm/28nm技术路线图，以及基于高 k金属栅极（HKMG）技术是“栅极优先”的创新晶体管制造方案的最新细节。

iSuppli公司主管兼首席分析师Len Jelinek说：“对于每一代新技术，半导体代工商正日益受到维持研发的经济状况、以及将这些技术大规模推向市场所需技能的挑战。凭借快速提升的、可以较高良率量产的领先技术，加上积极的产能和技术投资，GLOBALFOUNDRIES正处于挑战下一代晶片代工领先地位的独特有利形势。”

GLOBALFOUNDRIES预计2010年下半年在一厂开始32nm-SHP （超高性能）技术的批量生产。该技术将采用硅绝缘体（SOI）衬底，并利用GLOBALFOUNDRIES的创新“栅极优先”HKMG方案。与其他的“栅极最后”方案相比，“栅极优先”的HKMG方案可尽量提高功率效率，尽量缩小晶体管尺寸，同时尽量减少芯片尺寸和设计复杂性。24Mb SRAM的良率继续以两位数字增长，今年年底有望达到百分之五十的自然良率。

GLOBALFOUNDRIES一厂高级副总裁兼总经理Jim Doran表示：“与目前我们在一厂使用的45纳米技术相比，32纳米技术的性能将提高达百分之五十，同时具有与45纳米技术相同的漏电流水平。当把这与我们获得专利的自动化精确生产（APM）技术，以及极低的产品缺陷密度相结合，我们相信，在为我们的客户将该技术批量推向市场方面，我们将在代工商中处于领先地位。”

作为一家新加入代工行业的企业，GLOBALFOUNDRIES带来了领先的高性能处理器生产技术。在向45纳米这代技术过渡时，GLOBALFOUNDRIES比其他代工企业提前2到3个季度实现了具有成熟收益率的批量生产，同时比所有其他半导体制造商提前实施了复杂的光刻新技术（浸没式光刻技术）。

对于将用于大块硅衬底的28nm这一代技术，该公司的低成本设计原型设计穿梭服务（shuttle service）将于2010年第1季度接受客户和第三方IP设计，并计划2010年下半年开始生产。28nm技术提供了目前代工行业报告的最小的SRAM单元尺寸（0.12平方微米），以及相对于28nm“栅极最后”方案的芯片尺寸优势。此外，对于使用传统的基于多晶硅/氮氧化硅技术的5/40nm和32nm的客户，由于具有类似的工艺流程和设计规则，GLOBALFOUNDRIES的“栅极优先”的HKMG方案简化了28nm设计的实施以及IP重用。

处于28nm节点的客户将受益于32nm节点的领先技术的大批量应用，当28nm技术生产开始后，这将使GLOBALFOUNDRIES进入第二代的HKMG实施。28nm节点将有两种不同形式：28nm-HP（高性能）形式，该形式将进行优化以用于诸如图形、游戏机、存储、网络和媒体编码等领先应用；28nm-SLP（超低功率）形式，该形式将进行优化以用于诸如基带、应用处理器以及其它手持功能等需要较长电池寿命的无线移动应用。

GLOBALFOUNDRIES的采用“栅极优先”的HKMG加工方案的32nm和28nm技术，最初是在参加IBM技术联盟时与IBM合作开发的。2007年，IBM及其研究伙伴首先推出作为长期努力的晶体管改进基础的“栅极优先”HKMG创新，以处理45nm节点出现的漏电问题。