GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破两位数

在最近召开的GSA会议(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣称其使用32nm SOI制程工艺制作的24Mbit SRAM芯片的良率已经达到两位数水平，预计年底良率有望达到50%左右。GlobalFoundries同时会在这个会议上展示其最新的制造设备。

据称目前Intel 32nm Bulk制程技术的良率应已达到70-80%左右的水平，而且已经进入正式量产阶段，在32nm制程方面他们显然又领先了一大步。不过按AMD原来的计划，32nm SOI制程将在2011年前开始采用，所以留给GlobalFoundries公司的时间应该是足够的。

GlobalFoundries公司的这种32nm SOI制程工艺中启用了HKMG(High-k+金属门结构)技术，同时采用的是“Gate First”工艺(金属门积淀过程排在漏源级高温处理工步之前)，而他们的32nm Bulk HKMG制程也将采用“GATE First"工艺进行制作。有趣的是，不久前GlobalFoundries的东家ATIC又收购了新加坡特许半导体公司，这家公司也是”Gate first“工艺的坚定拥护者。

而Intel则自采用金属门结构后，一直都在采用”Gate last“技术;另外一家大厂台积电则属于骑墙派，两种技术皆有采用，但现阶段以“Gate first”为主。

除了主力的SOI工艺之外，在Bulk工艺部分，GlobalFoundries也宣称他们已经制出首片28nm制程的SRAM芯片，并称这种芯片内部的SRAM存储单元尺寸为业界最小，仅0.12平方纳米.