台积电将低功耗高k金属栅工艺纳入28纳米技术蓝图 预计2010年第三季进行试产

台积电24日宣布已将低耗电工艺纳入28纳米高介电层/金属闸(High-k Metal Gate，HKMG)工艺的技术蓝图，预计于2010年第三季进行试产(Risk Production)。

台积电自2008年九月发表28纳米技术以来，技术的发展与进入量产的时程皆按预期计划进行。就试产时程顺序而言，低耗电氮氧化硅(简称28LP)工艺预计于2010年第一季底进行试产，高效能高介电层/金属闸(简称28HP)工艺则预计于2010年第二季底开始试产，而低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)工艺的试产时程将继前两者之后推出，于2010年第三季进行试产。

台积电采用gate-last方法的28HPL工艺是28HP工艺的延伸，强调低耗电、低漏电、但仍能维持中高效能。至于28HPL工艺则适用于行动电话、智能上网本(smart netbook)、无线通讯、可携式消费性电子等多种的低耗电应用。

28HPL工艺有完备的元件支援，适用于通用型市场应用的系统单晶片(SoC)平台，与28LP工艺在特色上各有所强。28LP因延伸自氮氧化硅(SiON)工艺，因而成本更低、且有利于快速上市，尤其适用于手机与手持装置的应用。

此外，台积电于2008年九月宣布之28HP工艺亦采用gate-last 方法，适合中央处理器(CPU)、绘图处理器(GPU)、芯片组(Chipset)与可程式化闸阵列(FPGA)、游戏主机与行动计算等高效能导向的应用。

台积电研究发展副总经理孙元成博士表示：“在技术发展的过程中，我们采用gate-last的方式来发展28HPL相关技术，就其在电晶体特性、利于高阶与低阶应用的优势及可制造性的这些方面，都比gate-first方法来得好。”

台积电先进技术事业资深副总经理刘德音博士表示：“在HKMG工艺中的低耗电应用上，我们已与客户共同发展了一段时间。将28HPL纳入28纳米工艺系列，再加上28LP与28HP两项工艺，代表台积电目前提供给业界的是最全面的28纳米工艺组合。”

为了将28纳米工艺的功效在全系列各式不同客户产品中充分发挥，台积电已与客户和设计伙伴密切合作，在我们的开放创新平台(Open Innovation Platform，OIP)上提供完备的设计架构。开放创新平台系由台积电主导，并开放给客户与伙伴参与。

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