亚洲晶圆厂领军, 09下半年资本支出持续改善

今年初，半导体产业呈现了急剧衰退，SEMI全球晶圆厂预测报告显示，从2008年第四季到2009年第一季，全球前段制造设备资本支出下降26%，达32亿美元。然而，该报告也指出，在2009年第二季，资本支出将走出谷底，整个供应链已呈现出改善的迹象。

SEMI指出，今年6月，台积电率先宣布将其2009年资本支出提升至2008年的19亿美元水准(较先前预估值提高26%)。而在2009年第二季法说会上，该公司则将2009年资本支出计划上调至23亿美元，更甚于2008年。这些投资预计将集中在40/45nm以下技术节点。

时间进入2009年第三季，亚洲的领先晶圆代工厂均表示，其第二季的营收与产能利用率均强劲反弹。他们希望看到第三季也能持续成长。例如，特许半导体认为今年65nm及以下技术节点的需求强劲，已决定提高33%的资本支出，达5亿美元，将用于Fab 7产能。另一方面，由于对先进制程技术需求不断攀升，联电也扩增了2009年资本支出，从低于4亿美元调整到5亿美元。

主要晶圆厂2009年资本支出计划

600)this.style.width=600;" border="0" />

至于内存部份，在历经近两年的紧缩之后，目前也看到了一些资本支出方面的恢复迹象，预计将成为2010年半导体设备业的推动力量之一。最近，所有内存厂商都在削减开支和产能。但幸运的是，DRAM和NAND闪存的产能过剩已逐渐缓解，因此，自2009年第一季以来，内存芯片价格已渐趋稳定。

韩国的三星(Samsung)和海力士(Hynix)已经修正了他们的2009年下半年投资计划。由于看到主要PC OEM的价格均能维持一定水准，且需求也稳定成长，这两家韩国巨擘也计划加速其技术升级的时间表，以满足市场需求。以三星为例，这家公司打算提升其半导体部门在2009年第二季的资本支出，以保持领先态势。另一方面，海力士则计划下半年提高其NAND与DRAM的产能，并预计在今年底前完成44nm DRAM与32nm NAND产品的开发。这意味着两家公司的速度将比投资于领先技术节点更快。

台湾地区的DRAM制造商是否会展开整合至今仍不明朗，也许为时已晚了。但南亚科技(Nanya)与华亚[Inotera，南亚和美光(Micron)合资的企业]正准备藉由转移至54nm DRAM的大型投资计画翻身。他们预计今年就展开投资，但大部分的支出将会集中在2010年。

后段制程方面，自2009年第二季起，产能利用率便大幅提升，上游的晶圆厂也展现出强劲需求，在台湾地区，领先的封测公司均针对先进技术节点和部份特定应用修正了今年度的资本支出计画，特别是在晶圆植凸块(wafer bumping)和晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)方面。

从另一种角度来看，SEMI的北美订单出货报告显示，自2009年1月起，已经连续5个月不断改善。尽管当前的资本支出主要侧重于技术升级而非产能[初制晶圆(wafer start)]，但预计自2009年下半年起一直到2010年，半导体业的设备支出将继续改善，可望脱离谷底。