EVG开发出芯片与晶圆键合新方法，大幅度缩短层叠芯片的时间

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奥地利EV Group（EVG）开发出了在采用TSV（硅通孔）的3维层叠上低成本实现芯片与晶圆键合的技术。该方法能够大幅缩短在晶圆上层叠单芯片的时间。

一般来说，3D层叠化使用的是晶圆相互键合的晶圆与晶圆键合或芯片与晶圆键合的技术。晶圆与晶圆键合能够以晶圆为单位进行处理，因此容易控制工艺成本，但层叠元件的成品率相对于层叠数呈几何比例下降。如果单个芯片的成品率偏低，那么浪费的芯片就会增加，导致成本上升。另一方面，芯片与晶圆键合只对确认为良品的芯片实施。浪费的芯片较少。但是，由于需要芯片逐一与晶圆键合，因此工艺时间偏长，在芯片数量庞大时成本昂贵。

此次EVG成功地把工艺时间缩短到了1/5以下。与过去1个芯片花费20秒时间来逐一键合的做法相比，新方法首先利用3～4秒的时间实施临时键合，在全部芯片固定后再统一进行键合。具体方法是首先在芯片的键合一面涂满树脂胶粘剂。这一步需要在单片化前实施。然后，使用芯片安装器，把单片化的芯片放入晶圆上的指定位置。此时的固定借助胶粘剂，处于未实施电键合的临时键合状态。待全部芯片固定完成后，再对全部芯片实施正式的电键合。

正式键合时，芯片TSV

与晶圆电极之间的胶粘剂需要挤压排出，使二者形成金属-金属键合。在160℃左右的加热条件下，胶粘剂能够液化，在加压的作用下完全从金属与金属之间排出。因此不会妨碍键合。溢出的胶粘剂可以充当芯片之间的填充材料。

为了实现上述键合，EVG采用了住友电木（Sumitomo Bakelite）新开发的树脂胶粘剂。为了在加热、加压时不残留于金属与金属之间，胶粘剂采用了在工艺温度下粘性极低的设计。

按照EVG的估算，层叠500个芯片时，1个晶圆临时键合需要的时间约为30分钟。对其实施正式键合需要30分钟。通过将上述步骤串联实施，1个晶圆的工艺时间只需30分钟。此时的键合成本可以降至5日元/芯片以下。达到了绝大多数元件厂商的能够接受的水准。