台积电成功开发28纳米低耗电制程,明年量产
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台积电(TSMC)宣布成功开发28纳米低耗电技术,同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)制程,将32纳米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride,SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米制程,使得半导体可以持续往先进制程技术推进。
此一制程技术的优势还包括高密度与低Vcc_min六晶体管SRAM组件、低漏电晶体管、已通过验证的传统模拟/射频/电子熔线(analog/RF/electrical fuse)组件、低电阻-电容延迟(low-RC)的低介电质铜导线(Cu-low-k interconnect)。此项成果并在近日于日本京都举行的2009超大规模集成电路技术及组件技术研讨会上发表。
该篇论文中并指出,使用28纳米双/三闸极氧化层系统单芯片技术所产出的64Mb SRAM良率十分优异。此一SRAM的组件尺寸为0.127平方微米,芯片闸密度达每平方公厘390万个闸。在SRAM Vcc_min、电子熔线及模拟领域的优异表现足以证明此制程技术的可制造性。
此一领先的制程技术再次展现台积公司在低耗电、高效能制程采用氮氧化硅/多晶硅材料,提供客户深具成本效益解决方案的承诺及能力。在这篇论文中,藉由应变硅与氧化层厚度最佳化的氮氧化硅材料所产出的晶体管,与前一世代的45纳米制程技术相较,不但速度提高25~40%,操作功耗减少30~50%,还拥有低待机及低操作功耗的优势。
台积电早在2008年9月即宣布将28纳米制程定位为全世代(Full Node)制程,提供客户使用具能源效率的高效能及低耗电制程技术,并预计于2010年初开始生产。该公司预计将依照原定时程提供客户28纳米技术平台。