提速40%、电压降低至1.2V，三星第五代V-NAND闪存芯片开始批量生产

近日，三星电子正式宣布已开始批量生产其第五代V-NAND 3D堆叠闪存芯片，采用96层堆叠设计，与前一代产品相比容量和速度都有大幅提升。它还业内首次使用了Toggle DDR 4.0接口界面。

与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40%。但随着更好的性能，电压从1.8V降至1.2V。

新的V-NAND还具有最快的数据写入速度，延迟仅为500微秒，这是在写上一代的速度提高了30%，而响应时间读信号已显着降低到50μS(微秒)。

第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似，它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构，中间有微小孔。这些孔用作通道，尺度仅有几百微米宽，包含超过850亿个CTF单元，每个单元存储多达3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)。

三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求，将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。

三星还透露，正在开发1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND闪存颗粒。