国产要自强！紫光预计年底可DDR4内存颗粒推向市场

近年来，我国对集成电路、存储等半导体领域投资加大，成效也渐渐凸显出来，紫光在存储领域的发展也非常迅速，预计今年年底可以将DDR4内存颗粒推向市场，再过些时日，我国或摆脱对国外存储产品的严重依赖。

日前，国产内存制造商紫光国微在深交所互动平台上表示，目前国产DDR4内存芯片正在顺利研发中，紫光国微预计今年底就可以将DDR4内存颗粒推向市场。

之前紫光国微副总裁杜林虎已经表示，未来紫光国微会在DRAM存储器芯片产品方面加大投入，对于公司来说，DDR3内存芯片是主流，而DDR4芯片会在年内完成设计和生产。

紫光DDR4内存采用DIMM(U-DIMM)和SO-DIMM开发。U型DIMM是“SCQ04GU03AF1C-21P”、“SCQ04GE03AF1C-21P”，SO-DIMM的2个型号为“SCQ04GS03AF1C-21P”、“SCQ08GS13AF1C-21P”。

如今三星、东芝、镁光现已能极好的量产DDR4内存，希望紫光能够快速追赶，跟上技术发展的步伐。