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[导读]21ic电子网讯:虽然之前已经有关于三星GalaxyS5的拆解报告,但仅通拆解图片并不能对三星GalaxyS5内部有清晰的了解,而本次的三星GalaxyS5拆解更为详细,对其芯片及其他配置进行了深度讲解,下面来看三星GalaxyS5拆解

21ic电子网讯:虽然之前已经有关于三星GalaxyS5的拆解报告,但仅通拆解图片并不能对三星GalaxyS5内部有清晰的了解,而本次的三星GalaxyS5拆解更为详细,对其芯片及其他配置进行了深度讲解,下面来看三星GalaxyS5拆解详情。

本次下手的机器是韩国本土版SM-G900S,整体硬件规格还是那样,但在网络方面会有所不同。

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经过辨别,GalaxyS5里的大量芯片中有六颗来自高通,而且都是特别关键的,三星自己的只有内存、闪存。

高通的芯片有:

-骁龙801MSM8974AC2.4GHz处理器(封装在内存颗粒之下)

-PMC8974电源管理单元

-QFE1100封包追踪功率放大器

-WFR1620射频接收器

-WFR1625L射频收发器

-WCD9320音频编码器

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其他芯片:

-AvagoA7007功率放大器(Band7)

-AvagoACPM-7617多模多频功率放大器(EDGE/3G/LTE)

-Avago+ACW薄膜腔声波谐振器(FBAR)

-AudienceADNCES704独立音频处理器

-FCIFC8080地面数字多媒体广播调谐器(韩国版独有)

-InvensenseMP65MP02881L1405六轴陀螺仪/加速计

-LatticeLPIK9D低功耗FPGA

-MaximMAX77804K可编程片上系统

-MaximMAX77826(可能是管理电池的)

-NXP47803NFC加安全模块

-三星K3QF2F0DA2GB内存

-三星KLMBG4GEAC32GB闪存

-SiliconImageSIMG8240B0MHL发射器

此外,据说生化传感器也是来自Maxim,但目前还找不到具体在哪里。(苹果的M7协处理器就费了好大劲才找到)

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有两颗芯片无法确定身份,其一表面写着“32HUBIA5006V0W404A”,可能是传感器中心,意法半导体制造。

另一颗表面编号“4452M3E309G4”,似乎来自Semco或者意法半导体,并高度怀疑是Wi-Fi无线模块,那么内部封装的应该是博通BCM4354。

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三星GalaxyS5摄像头

GalaxyS5最亮的地方之一就是新的1600万像素、1/2.6"主摄像头。之前三星在S2、S3、Note3上使用的都是索尼传感器,这次终于用了自己的ISOCELLCMOS技术,号称能减少30%的干扰、提升30%的光敏全阱容量,自认为是取代背照式(BSI)的下一代传感器技术。

下边就是三星ISCOCELL800万像素传感器的横断面显微图,可以看到前侧深槽隔离(F-DTI)、垂直传输栅极(VTG)两个关键技术。

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注意这不是来自S5的,但技术原理是相通的。

三星GalaxyS5专用心率监测仪

在手机背部紧挨着LED闪光灯,使用红光、红外光照射你的手指,检测因脉搏跳动引起的手指表面压力变化而获得心率数据。

它的背面是一颗编号“C1N78BYMP41412”的芯片,可能是某种微控制器。

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三星GalaxyS5指纹传感器

iPhone5S放在了Home键里,三星的做法则截然不同,并分为两部分,指纹传感器在Home键里,还接受触摸屏的输入,需要同时使用才能载入你的ID。

触摸屏里的那部分可以检测手指挥动,然后启动Home键里的传感器,而传感器本身可以做更多动作。

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