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[导读]全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减,但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬,因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金,

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减,但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬,因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金,QoQ近5%。同时,前两大DRAM供货商的获利能力较上季皆有提升,其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型内存的供给多寡。

TrendForce研究协理吴雅婷表示,就4Q13合约价格走势做观察,由于九月SK海力士受火灾波及而影响当下出货,DRAM 4GB合约均价最高来到34美元价位,较火灾发生前上涨约二成,供货不足下主要PC OEM厂纷纷转向三星及美光要求紧急供货,亦是这波价格上涨受惠最多的厂商。其中三星受惠于25纳米制程开始放量,供货最充足,所以盘据成交价的高价部位,美光次之,SK海力士为避免客户流失,将合约价格放低,为这波涨价潮当中受惠最小的供货商。2013年DRAM总产值总计达到34.4亿美元,年成长约三成。

从全球DRAM厂自有品牌内存市占比例来观察,三星半导体与SK海力士半导体各为39%与24%,两者差距再进一步拉大。三星维持原先策略,标准型内存比重进一步提升,并意图持续扩大移动内存对外采购比重;由于三星的25纳米已经顺利量产出货,相较于SK海力士的29纳米以及美光的30纳米,显然成本结构领先同业水平,在2014年平均销售单价可能缓跌的前提下,三星的营业利益仍旧可以维持20%水位,无疑为产业获利最高的厂商。SK海力士受无锡厂大火影响,其市占由3Q13的28.5%微幅下降至23.8%,营业利益也约略减少约5%。然而该公司倾全力恢复产出,预计产能流失的冲击可望在今年首季全面回复。

三星25纳米DRAM量产 4Q13的<strong>4G</strong>B均价高到34美元

在本次第四季营收市占报告中,TrendForce第二次将美光与日商尔必达合并计算,综合市占为28.7%,正式超越SK海力士成为排名第二。除此之外,同时受惠于价格上扬与成本下降两项因素,营业利益的成长超过10%,为产业之冠。美光集团2014年目标为逐渐导入尔必达技术为主的20纳米,预计正式量产时程约落在年末,若站在标准型内存的角度观察,新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强,对该市场的影响力将大幅增加。

台系厂部分,南科也积极转进30nm制程,其投片量已来到总产能近八成,即使第四季停止从华亚科取得晶圆,在营收上仍有9.5%的季成长。力晶在DRAM营收上仅有6%的成长,除了力晶已转型为代工业务为主外,去年下半年启动的P3厂DRAM业务,也是属于代工性质,不受DRAM价格波动影响,亦无法带动DRAM营收继续往上攀升。华邦则是受到火灾转单效应与传统旺季需求,营收成长约9.7%,其中利基型内存的成长约为11%,移动内存也有5%的成长,今年华邦除了提升投片量至38K外,提升46nm制程转进比重亦是今年的重点,生产成本降低将有助第一季的获利表现。
从市场面来观察,TrendForce认为无锡厂的复工状况为牵动未来价格走势的最主要关键;由于每年首季都是需求淡季,加上产出增加 (三星的25纳米、美光的30纳米以及SK海力士无锡厂复工),TrendForce仍维持原先的预估,价格将呈现缓跌态势,而跌幅将随着旺季来临而趋缓。后续获利能力的持盈保泰将有赖于制程转进,而产业供给面将有赖各DRAM厂商共同维持,不贸然进行扩厂计划;在以上前提成立之下,2014年的DRAM总产值可望进一步提升,并在后20nm时代来临之前为各家带来稳定的获利。

<strong>三星</strong>25纳米<strong>DRAM</strong>量产 4Q13的4<strong>GB</strong>均价高到34美元

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