华虹宏力荣获2013年度国家科学技术进步奖二等奖

1月10日，2013年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。中国国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并为获奖代表颁奖。以上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”）为第一完成单位的“高性能嵌入式非易失性存储器片载芯片制造关键技术”获得2013年度国家科学技术进步奖二等奖。该项目第一完成人、华虹宏力执行副总裁徐伟先生代表公司领取奖项。　

该项目成功研发了嵌入式浮栅型和电荷捕获型SONOS结构及0.18微米至0.13微米/90纳米的嵌入式非易失性存储器芯片工艺技术、内核模块和芯片测试、检测技术，打破了国外芯片制造巨头的垄断，实现了国内该领域集成电路尤其是智能卡芯片的应用和国产化，拥有70%国内市场占有率，25%国际市场占有率，保持了国际先进、国内第一的地位。

徐伟先生表示，“这是国家对公司持续创新能力的又一次肯定，充分证明了华虹宏力在技术创新及技术成果转化上的实力。华虹宏力将一如既往，秉承持续创新，为全球客户制造“芯”梦想的愿景，为客户提供最完善、高性价比的晶圆代工解决方案，为发展壮大自主可控集成电路产业做出更大的贡献。”