Vishay的Si7655DN MOSFET荣获Top-10电源产品奖
时间：2013-10-11 10:38:34
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[导读]日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
《今日电子》的编辑根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比的卓越表现，从前一年推出的数百款产品中进行评选。Vishay的Si7655DN MOSFET因其创新，以及在适配器、电池、负载开关和电源管理应用中取得的成功而入选。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先P沟道Gen III技术，最大导通电阻为3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5 V)。这些性能规格比最接近的-20V器件高17%或更多。
Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长。器件的PowerPAK 1212-8S封装标称高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封装薄28%，可节省宝贵的电路板空间，同时保持相同的PCB布版样式。
《今日电子》的编辑根据创新的设计、在技术或应用方面取得显著进步，以及性价比的卓越表现，从前一年推出的数百款产品中进行评选。Vishay的Si7655DN MOSFET因其创新，以及在适配器、电池、负载开关和电源管理应用中取得的成功而入选。
Si7655DN使用新的PowerPAK 1212封装版本和Vishay Siliconix业内领先P沟道Gen III技术，最大导通电阻为3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5 V)。这些性能规格比最接近的-20V器件高17%或更多。
Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，让电池运行的时间更长。器件的PowerPAK 1212-8S封装标称高度只有0.75mm，比PowerPAK 1212封装薄28%，可节省宝贵的电路板空间，同时保持相同的PCB布版样式。
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