Altera与台积电在55纳米嵌入式闪存工艺技术领域展开合作

相较于前一代的嵌入式闪存工艺，台积公司55纳米嵌入式闪存工艺提供更快速的计算能力，逻辑门密度提高十倍，而且闪存及SRAM单位元尺寸减小幅度分别达到70%及80%，Altera公司采用台积公司55纳米嵌入式闪存工艺生产的可程序器件能支持大批量应用开发人员构建功能丰富的非易失系统。

Altera公司工艺技术开发副总裁Reda Razouk表示：“我们与台积公司的关系构建在共同承诺的基础之上，致力于提供客户最新的工艺技术，在我们的系列产品中增加新的55纳米嵌入式闪存产品将延续Altera公司所秉承的订制策略，在工艺技术、架构、体系结构和专用IP基础上进行产品优化以满足系统性能的需求。”

台积公司全球业务暨营销资深副总经理陈俊圣表示：“台积公司在55纳米嵌入式闪存等技术上的持续投入为Altera及其他客户拓展更多商机，藉由相互谋合双方在事业与技术上所追求的目标，Altera公司进一步提升客户产品的竞争力。”