IIC-China 2013：中科院微电子研究所提供客制化工艺技术开发服务

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心致力于以器件小型化为基础的CMOS先导工艺及其它硅基集成电路相关技术的研发工作，目前中心已经形成了包括中芯国际、北大、清华、复旦等单位在内的集成电路工艺的研发联盟。研发中心大量采用国产设备和材料，并与国产设备商一起对机台进行验证和工艺开发工作，使中心的研发平台成为国产设备商共同的试验场和展示平台，近3年来，中心已完成专利申请700多项，其中200多项国际专利。

目前，集成电路先导工艺研发中心开发出的特色工艺包括可实现22纳米及以下技术代图形化的电子束光刻（E-beam）及刻蚀技术；可获得硅深孔（TSV）的刻蚀工艺；可对高K/金属栅材料进行原子级可控生长的原子层薄膜淀积（ALD）工艺；可增加沟道迁移率的外延纯锗、硅锗（SiGe）工艺；可获得超浅结的超低能离子注入和纳秒级激光退火（Laser anneal）工艺；可完成晶圆凸起图形全局平坦化的化学机械抛光（CMP）工艺等。与此同时，为了满足国产半导体装备发展的生产需求，中心的研发线采用准工业化的管理模式，并且实现了对设备状态、工艺流程以及物料进出库的全程电子化管理，使得研发周期缩短到接近工业界的先进水平。

集成电路先导工艺研发中心主任赵超表示：“未来时间内，研发中心将以‘两条腿’走路的方式，一方面继续承担国家科技重大专项、863和973等项目的研究和开发；另一方面，中心将重点针对工业界急需的生产工艺，提供客制化的技术开发服务和小批量高附加值产品的研制，努力推动国内IC领域中小企业的在生产工艺上的创新。”

据介绍，目前研发中心的对外服务采用研发代工的模式，即自身不从事产品的经营活动，其研发成果按照与客户达成的协议全部转移给客户，技术服务内容包括：专利技术转让；CMOS、MEMS全流程流片、工艺模块或单步工艺研发、小批量高附加值产品加工；IC工艺设备和耗材验证；工程师技术培训；技术咨询等等。

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心博士研究员赵超