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[导读]概述基于ARM Cortex-M0的Kinetis L系列MCU,将于2012年8月14-15日在飞思卡尔技术论坛中国站上首次展示。作为市场上首款基于新型ARM Cortex-M0内核的MCU系列,同时也是业界能效最高的MCU,Kinetis L系列反映出当今技术


概述
基于ARM Cortex-M0的Kinetis L系列MCU,将于2012年8月14-15日在飞思卡尔技术论坛中国站上首次展示。作为市场上首款基于新型ARM Cortex-M0内核的MCU系列,同时也是业界能效最高的MCU,Kinetis L系列反映出当今技术趋势的一个缩影:人们欣喜地看到了传统观念与现代技术的融合。 传统入门级 8位 MCU 的低功耗、低成本和易用性,与先进的32位MCU 的高能效、功能集成及更多软件工具支持相结合。采用Kinetis L系列的诸多应用,如小家电、游戏配件、便携式医疗系统、音频系统和电源控制系统等,现在能够实现更高的性能,提供更多的功能,同时不用增加功耗或系统成本。
ARM Cortex-M0内核
ARM Cortex-M0是能效最高的内核,与ARM Cortex-M0内核相比,具有更好的能效、性能和调试功能,同时保证了所有指令集和工具的完全兼容。该产品的新功能包括:2级管道,该管道可减少每指令周期数 (CPI) ,在基准测试中取得1.77 CoreMark/MHz的高分(而Cortex-M0内核仅为1.62CoreMark/MHz),对I/O进行单周期访问,加快对外部事件的反应速度,从而实现位拆裂和软件协议仿真,与8位和16位MCU相比,代码密度更高,可缩小闪存尺寸,降低系统成本,另有Micro Trace Buffer这款轻量级跟踪解决方案提供快速漏洞识别与更正。

飞思卡尔技术论坛中国站展现传统观念与现代技术相融合

高能效
Kinetis L系列基于飞思卡尔屡获殊荣的90纳米薄膜存储器 (TFS) 技术,它通过创新的低功耗 MCU平台、操作模式和节能外设实现出色的能效,对Cortex-M0内核进一步予以完善。这些功能相互结合,提供良好的运行和休眠电流,使应用能够延长处于深度休眠模式的时间,从而最大限度减少CPU活动并延长电池寿命。
现有10种低功率操作模式可供选择,使得设计人员能够极精确地控制系统功耗。其中包括多个低功耗模式(50uA/MHz 的低功耗运行模式),它们最多可将功耗降低95%,并同时继续保留Cortex-M0 的全部处理功能。这些模式还可使MCU能够从省电状态快速唤醒,待处理完数据后迅速返回休眠模式,从而延长应用程序的电池寿命。这些优势都将在飞思卡尔技术论坛上通过Kinetis L系列 能效模块一一进行演示。在飞思卡尔技术论坛中国站的展示中,还会按照CoreMark 基准测试分析将Kinetis L系列的能效的特点与飞思卡尔竞争对手的解决方案进行对比。
Kinetis L系列MCU提供多个低功耗智能外设,即使在MCU处于深度休眠模式时也能维护正常功能,因此可实现少消耗多工作。DMA控制器、计数器、定时器、通信接口、ADC、比较器都能够在不占用CPU 的情况下做出自己的决策。传统的MCU必须激活主时钟和处理器内核才能执行任务,即使是执行琐碎的任务,如发送或接收数据、捕捉或生成波形或模拟信号采样时也是如此。Kinetis L系列外设不需占用内核或主要系统就能执行这些功能,从而大大降低能耗并延长电池寿命。 1 2
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