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[导读]高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.日前宣布,公司推出的业内首款也是唯一一款聚合的多模多频 (MMMB) 功率放大器PowerSmart Power Platforms现已用于三星新一代智能

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices, Inc.日前宣布,公司推出的业内首款也是唯一一款聚合的多模多频 (MMMB) 功率放大器PowerSmart Power Platforms现已用于三星新一代智能手机 GALAXY Note II。

据了解, 三星智能手机 GALAXY Note II 的一大亮点是 5.5 英寸高清 Super AMOLED 屏幕,视觉效果惊人,细节十分清晰。其屏幕比例为 16:9,可以带给您身临其境、妙趣横生的影院级视频观看体验。 GALAXY Note II 还配置了强大的 1.6GHz 四核处理器及 HSPA Plus 或 4G LTE 连通性,可轻松完成多重任务处理,屏幕过渡快如闪电,浏览器性能强大,应用程序加载时间极短。此外,它还配备了一个 800 万像素的后置摄像头和一个 190 万像素的前置摄像头,均具备高清视频录制功能。

RFMD 为三星提供广泛的 3G/4G 前端解决方案,包括 PowerSmart、超高效率 3G/4G 功率放大器、高性能开关以及先进的电源管理解决方案。 RFMD 为三星所有领先的基带架构提供支持,而且,RFMD 广泛的产品组合可支持三星所有主要类别的产品。

RFMD 的 PowerSmart 功率平台具有业内领先的集成性、设计灵活性及可定制性,让智能手机生产商无需顾及模式和频带规格就能跨地域、跨网络快速配置智能手机平台。

三星 GALAXY Note II 即将于 10 月首先在欧洲、亚洲、及中东主要市场上推出。(责编:陶圆秀)
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