Rfaxis公布面向Wi-Fi移动手持设备的CMOS射频前端技术突破

时间：2012-05-21 10:02:34

关键字： CMOS 射频前端手持设备移动

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[导读]专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis今天宣布发布射频前端技术白皮书《面向移动手持设备应用的CMOS Wi-Fi射频前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobil

专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis今天宣布发布射频前端技术白皮书《面向移动手持设备应用的CMOS Wi-Fi射频前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobile Handset Applications – Part-I)。该系列白皮书共三部，本次发布的第一部讨论了Wi-Fi/蜂窝手持设备双模设计所面临的射频相关技术挑战。该白皮书还讨论了Rfaxis为应对当今射频/无线行业面临的这些关键问题所开发的部分技术解决方案。

据Linley Group统计，智能手机是无线行业增长最快的细分市场之一，预计2014年智能手机的出货量将达到6亿部。这些先进的移动设备可同时支持3G/LTE网络和Wi-Fi无线连接，因此用户可以一边连接蜂窝网络进行语音通话，一边通过Wi-Fi无线网络上网搜索或下载数据文件。在内部空间有限的手持设备中同时运行不同的无线电会给射频设计带来前所未有的挑战，需要在保证性能水平的同时最大程度地降低物料清单(BOM)成本。

新出炉的RFaxis白皮书提供了多家一级供应商UMTS/WCDMA接收频段(Band-1, 2.11-2.17GHz)不同Wi-Fi功率放大器和前端模块的综合测试数据和噪声贡献值的对比情况。多年来，射频/无线行业一直在采用不同的材料/工艺技术开发PA/FEM，包括GaAs HBT、GaAs pHEMT、BiCMOS SiGe HBT和最近的块状射频CMOS。该公司此项研究的部分关键成果包括：

除块状CMOS之外的所有技术，WCDMA接收频段总噪声功率都会随着WLAN传输功率级别的增加而增加，而块状CMOS在高WLAN输出信号水平的情况下，噪声功率的变化微乎其微，甚至略有减少。
基于GaAs或SiGe HBT的解决方案需要高水平抑噪（30-35dB），这需要采用成本更高的共存滤波器，还需要额外降低Wi-Fi接收器的灵敏度，并增加发射链路的电流消耗。
RFaxis基于CMOS的Wi-Fi射频前端集成电路(RFeIC)所需的PA输出线性功率可减少1.0-1.5dB，从而大幅降低电流消耗。该电路还能帮助等量提升Wi-Fi系统接收器的灵敏度。

RFaxis首席技术官Oleksandr Gorbachov博士评论说：“随着越来越多的移动设备需要同时运行3G/4G蜂窝和Wi-Fi网络，对提升共存滤波器性能并改善其成本结构的需求正在不断增加，客户要求满足看似相互矛盾的标准，例如：带内插入损耗要低，带外抑制要高，元件尺寸要最小，但是价格要最低。我们已通过利用射频CMOS特有的设备/工艺特点及专有的设计方法，找到了该问题的替代解决方案，我们可大幅降低Wi-Fi PA对WCDMA接收频段的噪声泄漏，从而让射频系统设计师可以以很宽松的规格使用共存滤波器。这不仅可帮助降低BOM成本，还能提升Wi-Fi性能。”

RFaxis董事长兼首席执行官Mike Neshat补充说：“我们很高兴能与无线行业分享我们的成果，并向OEM/ODM客户提供一切就绪的解决方案。这是RFaxis团队的又一关键突破，可推动射频CMOS成为下一主流解决方案，满足智能手机、平板电脑和超极本等当今高度复杂的无线产品的最苛刻射频前端要求。”