制程技术向7nm大跃进，3D IC硬着头皮也要上

GlobalFoundries 公司正在仔细考虑其 20nm 节点的低功耗和高性能等不同制程技术，而在此同时，多家芯片业高层也齐聚一堂，共同探讨即将在2014年来临的 3D IC ，以及进一步往 7nm 节点发展的途径。

IBM 的专家指出，下一代的20nm节点可支持最佳化的低功耗和高性能制程技术。而 GlobalFoundries 将在今年八月决定，是否提供这些不同的制程选项。

这些仅仅是今年度 GSA Silicon Summit 上讨论的两个焦点。与会的芯片业高层还讨论了预计在2014年到来，但仍面临诸多挑战的 3D IC ，以及脚步缓慢但仍然预见可朝 7nm 迈进的 CMOS 微缩技术。

“台积电最近表示其 20nm 节点在制程最佳化方面并没有显著差异，但我并不这么认为，” IBM 院士暨微电子部门首席技术专家Subramanian Iyer说。“我相信，在相同的节点上，你可以拥有两种不同的制程，”他在主题演讲中表示。

事实上， GlobalFoundries 正在考虑是否是在为 20nm 提供高性能和低功耗制程。

“我们仍在与主要客户讨论该做些什么，针对性能和功耗方面，可能要做出更多取舍，” GlobalFoundries 先进技术架构主管Subramani Kengeri表示。

他指出， 20nm 的变化空间可能相对更加狭小，而且从经济面来看也未必可行。IBM的Iyer则认为，台积电决定仅提供一种20nm制程，其经济面的考量可能多于技术面。

接下来，采用FinFET的14nm制程，则将为芯片产业开创更大的机会，如提供0.9V的高性能版本，以及0.6V的低功耗变种制程等。此外，与传统转移到一个新制程节点相较，14nm节点可提供的利益也预估将高出两倍之多。

从历史角度来看，要为每一个节点提供不同制程变化，都会需要在基础制程上添加独特且复杂的特性，IBM的Iyer说。他指出，过去，我们在每一代制程节点都拥有不同功能的制程，现在不大可能骤然让它们完全消失。

20nm仍有变化空间，Subramanian Iyer说。